• Система автоматизации с открытым исходным кодом на базе esp8266/esp32 микроконтроллеров и приложения IoT Manager. Наша группа в Telegram

Goodix BLE IC GR551X

nikolz

Well-known member
Семейство Goodix Bluetooth IC GR551x представляет собой одномодовую систему на кристалле Bluetooth 5.1 с низким энергопотреблением. Он может быть сконфигурирован как вещатель, наблюдатель, центральный или периферийный сервер и поддерживает комбинацию всех вышеперечисленных ролей, что делает его идеальным выбором для Интернета вещей (IoT) и интеллектуальных носимых устройств.
На основе ARM® Кора®-Ядро процессора M4F, серия GR551x объединяет стек протоколов Bluetooth 5.1, радиочастотный приемопередатчик 2,4 ГГц, программируемую флэш-память, оперативную память и несколько периферийных устройств.
Системы на кристалле GR551x доступны в нескольких корпусах (см. таблицу 1), которые отвечают вашим разнообразным требованиям к проекту.
ФункцииGR5515IGNDGR5515IENDUGR5515I0NDAGR5515RGBDGR5515GGBDGR5513BENDGR5513BENDU
ЦПУКортекс-М4Ф®Кортекс-М4Ф®Кортекс-М4Ф®Кортекс-М4Ф®Кортекс-М4Ф®Кортекс-М4Ф®Кортекс-М4Ф®
БАРАН256 КБ256 КБ256 КБ256 КБ256 КБ128 КБ128 КБ
SiP флэш-память1 МБ512 КБН/Д1 МБ1 МБ512 КБ512 КБ
Номер ввода-вывода39393939292222
Упаковка (мм)QFN56 (7 x 7 x 0,75)QFN56 (7 x 7 x 0,75)QFN56 (7 x 7 x 0,75)BGA68 (5,3 x 5,3 x 0,88)BGA55 (3,5 x 3,5 x 0,60)QFN40 (5 x 5 x 0,75)QFN40 (5 x 5 x 0,75)
Рабочая температура-40°С – 85°С-40°С – 85°С-40°С – 85°С-40°С – 85°С-40°С – 85°С-40°С – 85°С-40°С – 85°С
Диапазон напряжения питания2,4 В – 4,35 В2,4 В – 4,35 В2,4 В – 4,35 В2,4 В – 4,35 В2,4 В – 4,35 В2,4 В – 4,35 В2,4 В – 4,35 В
Часы64 МГц/32 кГц64 МГц/32 кГц64 МГц/32 кГц64 МГц/32 кГц64 МГц/32 кГц64 МГц/32 кГц64 МГц/32 кГц
Особенности Bluetooth IC GR551X
• Приемопередатчик Bluetooth с низким энергопотреблением (Bluetooth LE) 5.1 объединяет уровни контроллера и хоста
◦ Поддерживаемые скорости передачи данных: 1 Мбит/с, 2 Мбит/с и большой радиус действия (500 кбит/с, 125 кбит/с)
◦ Мощность передачи: от -20 дБм до +7 дБм
◦ Чувствительность -96 дБм (в режиме 1 Мбит/с)
◦ Чувствительность -93 дБм (в режиме 2 Мбит/с)
◦ Чувствительность -99 дБм (в режиме дальнего действия 500 кбит/с)
◦ Чувствительность -102 дБм (в режиме дальнего действия 125 кбит/с)
◦ Ток передачи: 5,6 мА @ 0 дБм, 1 Мбит/с
◦ Ток RX: 4,8 мА @ 1 Мбит/с
• 32-разрядный микропроцессор ARM®Cortex-M4F® с поддержкой операций с плавающей запятой
◦ Тактовая частота до 64 МГц
◦ Встроенный блок защиты памяти (MPU), поддерживающий восемь программируемых областей
◦ Аппаратный блок операций с плавающей запятой (FPU)
◦ Встроенный вложенный векторный контроллер прерываний (NVIC)
◦ Немаскируемый вход прерывания (NMI)
◦ Serial Wire Debug (SWD) с 6 точками останова, двумя контрольными точками и счетчиком меток времени отладки
◦ Исполнение 51 мкА/МГц от флэш-памяти @ 3,3 В, 64 МГц
  • Встроенная память
◦ 256 КБ SRAM с возможностями хранения (четыре блока SRAM по 8 КБ и семь блоков SRAM по 32 КБ) для SoC серии GR5515 и 128 КБ SRAM с возможностями хранения (четыре блока SRAM по 8 КБ и три блока SRAM по 32 КБ) для SoC GR5513
◦8 КБ кэш-памяти SRAM с возможностью хранения
◦ Стек ПЗУ (включая загрузочное ПЗУ и Bluetooth LE Stack)
◦1 МБ встроенной флэш-памяти QSPI для SoC серии GR5515 и 512 КБ встроенной флэш-памяти QSPI для SoC GR5513 (исключения: GR5515I0NDA требуется внешняя флэш-память QSPI и GR5515IENDU требуется 512 КБ встроенной флэш-памяти)
  • Цифровая периферия
◦Один универсальный механизм DMA с 8 каналами и 16 интерфейсами рукопожатия
  • Аналоговые периферийные устройства
◦Один 13-разрядный АЦП с частотой дискретизации 1 Мбит/с. Он поддерживает до пяти внешних каналов ввода-вывода и трех внутренних сигнальных каналов
 

nikolz

Well-known member
Встроенные датчики температуры и напряжения

◦ Компаратор с низким энергопотреблением, поддерживающий пробуждение из режима глубокого сна

  • Гибкие последовательные периферийные устройства
◦2 интерфейса QSPI, до 32 МГц

◦2 модуля UART со скоростью до 4 Мбит/с, при этом все модули поддерживают управление потоком и только UART0 поддерживает DMA

◦2 модуля I2C для периферийной связи, до 2 МГц

◦1 главный интерфейс SPI и 1 ведомый интерфейс SPI для связи с хостом, до 32 МГц

◦2 интерфейса I2S (1 главный интерфейс I2S + 1 ведомый интерфейс I2S)

◦Интерфейс ISO 7816

  • Безопасность
◦Полный безопасный вычислительный движок:

-AES 128-битное/192-битное/256-битное симметричное шифрование (ECB, CBC)

-Код проверки подлинности сообщения на основе хэша (HMAC-SHA256)

-Криптография с открытым ключом (PKC)

-Генератор истинных случайных чисел (TRNG)

◦Комплексный механизм обеспечения безопасности:

-Безопасная загрузка

-Зашифрованная прошивка, работающая непосредственно с Flash

-eFuse для хранения зашифрованных ключей

-Различать ключ данных приложения и ключ прошивки, поддерживая один ключ данных для каждого устройства / продукта.

  • Периферийные устройства ввода-вывода
◦ Всего 39 контактов ввода-вывода

-26 контактов ввода-вывода общего назначения (GPIO)

-8 постоянно включенных контактов ввода-вывода (aon io), поддерживающих пробуждение из режима глубокого сна

-5 контактов ввода-вывода смешанного сигнала (MSIO), конфигурируемых в качестве интерфейса цифрового/аналогового сигнала

  • Таймер
◦Два универсальных 32-битных модуля таймера

◦Модуль таймера, состоящий из двух программируемых 32-битных или 16-битных счетчиков

◦Внутренний таймер сна, который можно использовать для пробуждения устройства из режима глубокого сна

◦ Два модуля ШИМ с режимом выравнивания краев и режимом выравнивания по центру, каждый с 3 каналами

◦ 1 x счетчик реального времени (RTC), может использоваться как календарь

◦ 1 сторожевой таймер AON, работающий как в спящем режиме, так и в активном состоянии

  • Управление питанием
◦ Интегрированный DC-DC для обеспечения ВЧ-аналогового напряжения и питания ядра LDO

◦ Встроенный ввод-вывод LDO для обеспечения напряжения ввода-вывода и питания внешних компонентов, максимальная мощность диска ввода-вывода LDO: 30 мА

◦Программируемые пороговые значения для обнаружения затемнения (сброс BoD и прерывание BoD)

◦Напряжение питания: от 2.2 В до 3.8 В. Напряжение питания GR5515I0NDA (при внешней вспышке

GR5515I0NDA питается высоким напряжением) должно равняться рабочему напряжению внешней вспышки QSPI

◦Напряжение ввода-вывода: от 1.8 В до 3.3 В (типичное) (для флэш-памяти GR5515I0NDA/GR5515IENDU/GR5513BENDU с использованием высокого напряжения VIO_LDO_OUT должен быть подключен к VBATL в принципиальной схеме.)
  • Режимы низкого энергопотребления
◦Режим глубокого сна: 2,7 мкА (номинал), с полным сохранением SRAM 256 КБ

◦ Сверхглубокий спящий режим: 1,8 мкА (номинал), без сохранения SRAM

◦ Выключенный режим: 0,15 мкА (типичный), ничего не включено, кроме VBAT, и чип в режиме сброса

  • Пакеты
◦QFN56: 7 мм x 7 мм, шаг 0,40 мм

◦BGA68: 5,3 мм x 5,3 мм, шаг 0,50 мм

◦BGA55: 3,5 мм x 3,5 мм, шаг 0,40 мм

◦QFN40: 5 мм x 5 мм, шаг 0,40 мм

  • Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C
 

nikolz

Well-known member
2024-04-18_08-45-15.png
Серия WT551x представляет собой высокопроизводительную систему Bluetooth 5.1 на кристалле (SoC) производства WirelessTAG, которая широко используется в мобильных устройствах, носимых устройствах и продуктах Интернета вещей (IoT). Это семейство SoC предназначено для помощи пользователям в разработке маломощных устройств на базе Bluetooth с центральной и / или периферийной ролью.

Характеристики модуля
- Встроенная антенна на печатной плате
- Рабочее напряжение: 3,3 В
- Рабочая температура: -20-85 ° C
- Процессор ARM ® Cortex® -32-разрядный микропроцессор M4F с поддержкой плавающей запятой
- Оперативная память 256 КБ
- Флэш-память 512 КБ
- Основной процессор QFN 48pin
- Bluetooth 5.1
- Сверхмалый размер 20,7 мм * 15 мм * 3 мм (± 0,2 мм)
- Встроенный 13-разрядный высокоточный АЦП
- Встроенный DC-DC, LDO
- Подсветка Спящий режим: 1 мкА, поддержка пробуждения по событиям AON_RTC, AON_GPIO и Bluetooth LE
- Поддержка при удаленном обновлении и облачном OTA-обновлении
- Поддержка режима работы master-slave

-- Продукт Wireless-Tag Technologies --
 

pvvx

Активный участник сообщества
GR551x - плохой уровень приема, минимальное напряжение не годится для работы с батареями CRxxxx, большой ток - Deep sleep mode: 2.7 µA (Typical), много ненужных ног.
ARM®Cortex-XX очень медленно работает из SPI-Flash. Оптимизации ноль. В помойку.

Серия WT551x представляет собой высокопроизводительную систему Bluetooth 5.1 на кристалле (SoC) производства WirelessTAG, которая широко используется в мобильных устройствах, ...

Ширины использования не заметно. :LOL: Название чипа засИкречено. SDK и прочего нема.
Если спящий режим 1 мкА, то что будет в sleep с включенной RAM?
 

pvvx

Активный участник сообщества
И USB нема, и примеров с PAwR нема, BT5.4 нема и не будет - стек 5.0 в ROM, cплошной UART и JTAG, которых у пользователей нема.
В продаже тоже нема.
Не сравнить с WCH - у WCH есть всё, и WCH проникли даже в продажу в чип-дип...
 
Сверху Снизу