Результаты поиска

Еще раз канделябром по лживой роже: хр-р-ясь! Кыш под лавку, невежественное дупло. :cool:

RTL среди прочих чипов и модулей сильно выделяется очень плохой чувствительностью приемника. Если ESP до 300 м работает, то, судя по даташиту, RTL всего метров 20 потянет, или даже меньше.

Опять это невежественнoe дупло... IRLML2402 просто перегреется сгорит, потому что у него сопротивление канала 0.25 Ома, a корпус SOT-23. А IRLML6402- это Р-канальный полевик, который не годится для непосредственного управления 12В светодиодной лентой.

Что выдать за свои мысли? Ваш тяжкий бред про "10В на открытом диоде"? Или идиотский совет ставить драйвер MOSFET там, где он не нужен? Или дилетантскую зацикленность на емкостях и "некорректный график", которым вы не знаете как пользоваться? Или чудовищно невежественные ссылки на инжекцию...

Получите канделябром, как обещал: хр-р-ясь! И кыш под лавку, лживая тварь. :p

Пересчитано уже на предыдущей странице. И результат по сути тот же самый. :cool: Вижу-вижу, что я вас уел. Не суйтесь с советами начинающим по электронике, вы в ней ничего не понимаете. Вы полное дупло, ноль в электронике, ламер на уровне школьного радиокружка. Вот когда вы это усвоите, тогда и...

Задачи на свете есть разные. В других применениях напряжение на стоке формируется не только самим транзистором, а также и другими источниками, в двухтактных схемах, например. И потому решения там принимаются другие. А вы по своей тупости не понимаете, зачем что делается в разных схемах, и...

Тяжкий бред невежественного ламера. При 10 кОм в затворе процесс переключения уже идет настолько медленно, что учет этих емкостей самих по себе не имеет никакого смысла, настолько мало их влияние.

Ну точно, тупой как пень, Vgs с Vds перепутал. Это график зависимости емкости от Vds при Vgs=0. При нулевом напряжении на затворе, бестолочь. Мечтаете включить MOSFET при нулевом напряжении на затворе? Мечтайте. :p

Тупица не знает, что такое динамическая емкость :p

Стоит заметить, что сам факт зацикливания pvvx на величине емкости затвора свидетельствует только о том, что этот ламер вообще никогда с MOSFET дела не имел. Те, кто следил за моими расчетами, наверное заметили, что я принял, что полка на графике горизонтальна на уровне 2.2В. То есть, принял...

Очень сомневаюсь, что требование использовать WiFi в этой задаче имеет серьезное обоснование. Скорей всего задача более оптимально решается при помощи BLE, особенно если вся обработка данных уже сделана на борту, как у вас. WiFi модулей на рынке десятки, и какая-то своя маргинальная ниша есть...

Что не может ESP8266, то могут дешевые модули с Линуксом. Я уже упоминал NanoPi Duo за 8 долларов. А все, что в промежутке между этим молотом и наковальней, включая RTL и пр. - не имеет будущего. То, с чем вы уже год ковыряетесь для RTL, для модуля с Линуксом делается за несколько часов.

Вы лжете. На этом графике 20 В на еще не открытом диоде. А на открытом диоде 0.5В, и об этом в статье сказано. Все ваши туманные намеки на некие "процессы" являются прикрытием вашего невежества. Вы даже не знаете, что в MOSFET нет инжекции зарядов. Вы еще на влияние фаз Луны сошлитесь... :p...

C1 надо или вообще выбросить, или уменьшить до 100 пФ. Иначе он будет источником помех и постепенного обгорания контактов SW1. 4.7 мкФ в питании ESP8266 - это как слону дробинка. У него броски тока по питанию до полуампера, и 470 мкФ в питании на той же плате - это рекомендуемый минимум. То...

Вы бредите, потому что публично продемонстрировали свое дремучее невежество. А теперь пытаетесь этот факт заболтать, нагромождая горы абсолютно безграмотной чепухи и т.п. По принципу Геббельса - чем чудовищнее ложь, тем быстрее в нее поверят. PS: Далее в этой теме препираться в таком стиле с...

Вы бредите, просто от невежества и своего склочного характера.

Лживая тварь. Я рекомендовал от 100 Ом до 1 кОм, а потом обронил, что даже и при 10 кОм ничего плохого не будет. И даже подтвердил это прикидочным расчетом. Не дошло, тупорылый? Хорошо, вот более точный расчет для IRF3708 c 10 кОм в затворе - хотя для ШИМ это не оптимально. Пусть лента на ток...

Но молча обтекать pvvx не способен... "Инжекция заряда" в MOSFET - это шедевр невежества. Санитары ему регулярно делают иньекции галипердола, вот у него все мысли и крутятся вокруг инжекций. И про "график, который был полностью некорректен по теме" - это он про график зависимости напряжения...

Наконец-то я понял, о чем говорил pvvx. И "инжекция зарядов", и "10В на открытом диоде"... Картинка сложилась! Он думает, что MOSFET - это однопереходный транзистор! :):):) Я был неправ, назвав pvvx дубом. Нет, он не дуб, он дупло в дубе. :p