Как быстро убьется флеш если в неё постоянно записывать состояние? Или лучше внешнюю eeprom использовать?
По практике - до 10000 записей. Далее страдает время хранения - увеличивается сток заряда в ячейке к ближайшему электроду.... Ведь процесс записи Flash = пробой диэлектрика, с внесением в него активных элементов (ионов), ухудшающих изоляцию заряженной емкости (тепловые шумы)...
EEPROM не спасет - у неё примерно схожие характеристики. FRAM ещё куда ни шло... Там молекла
переключается и более стабильна (если нет внешних воздействий с энергиями более уровня переключения).
Но есть некоторые индивидуумы, которые не имеют практики и не шарят в технологиях да физике, зато говору - выше крышы
Приводить не стану - но оно намекало на замену FRAM ширпотребом от ...
У FRAM одна беда - объем "активного" переключателя, состоящий из коалиции молекл
Т.е. не может быть уменьшен до световых размеров... При этом, чем больше элемент, тем менее на него сказывается неизбежные переключения малых компонентов, по аналогии коэрцитивной силы у ферромагнетиков, но FRAM не магнитики