Входное сопротивление входа МК - миллионы ом(вход на полевом транзисторе). При включенной подтяжке к источнику питания(по документации, на память, 47ком) вход шунтируется через эту подтяжку на источник питания. Если перевести вход, в режим выхода, выставить логический ноль, да, ваша теория верна, вход имеет низкое сопротивления и входной ток будет несколько десятков мА, и ограничен внешним выходным сопротивлением(внешнего устройства).
Со стабилитронами вы не знакомы совсем! Когда, ток начинает течь, лишь при переходе некоторой границы - пробой!
Пробой полевых транзисторов от статического электричества, и не только, вы не встречали совсем!
Итого, учить нужно вас! :\
Не буду с Вами спорить. Не вижу смысла.
Но память Вам изменяет.
Посмотрите принципиальную схему nodemcu и увидите что подтяжку ESP выше 10 ком не делают.
Относительно тока на выходе - тут у Вас просто нет знаний, а документацию Вы не читали.
Для ESP нагрузка 12 ма . У ESP32 есть несколько режимов нагрузки, но всегда ограничивается суммарный ток по всем пинам как ограничение по тепловому пробою.
-------------
это не моя теория - это азы электротехники и радиотехники.
---------------
"Пробой полевых транзисторов от статического электричества, и не только, вы не встречали совсем!"
Поясню для безграмотных.
Напряжение - это разность потенциалов.
пробой - изучают на первом курсе в вузе, что бы вспомнили то, что забыли изучить в школе.
Пробой - это возникновение потока электронов между проводниками имеющими разность потенциалов. А движение электронов ( а в общем случае любых заряженных частиц) - это и называется электрическим либо иным ТОКОМ.
Вот этот ТОК приводит к нагреванию и выжиганию внутренностей у транзистора.
И в итоге транзистор выходит из строя.
---------------
Кроме теплового пробоя есть еще электрический пробой, который не приводит к выходу из строя.
Цитата:
"Полевой или туннельный пробой относится к электрическому виду пробоя и характерен для сравнительно узких p-n переходов (ширина p-n перехода в равновесном состоянии составляет сотые доли микрометра).Это обеспечивается в том случае, когда обе области p-n перехода имеют высокую степень легирования примесями. При напряженности электрического поля в p-n переходе равной критическому значению 2¸4×10^5 В/см происходит полевой или туннельный пробой.
При такой большой напряженности электрического поля у атома полупроводника происходит отрыв валентных электронов и число носителей заряда растет. С точки зрения энергетической (зонной) диаграммы основу полевого пробоя составляет туннельный эффект - явление «просачивания» электронов сквозь узкий энергетический барьер p-n перехода, т.е. переход электронов с занятых энергетических уровней валентной зоны полупроводника p-типа на свободные энергетические уровни зоны проводимости полупроводника n-типа.
Вероятность туннельных переходов при напряженности электрического поля E = 105 В/см составляет один электрон в секунду, а при напряженности электрического поля E = 106 В/см – 1012 электронов в секунду. Поэтому при критическом значении напряженности электрического поля обратно-смещенного p-n перехода количество туннельных переходов будет значительным, а это приводит к резкому увеличению обратного тока. При дальнейшем увеличении обратного напряжения на p-n переходе
рост обратного
тока происходит по экспоненциальному закону."
------------------------
Скучно с Вами беседовать.
Вы горды своим невежеством.
Продолжайте и дальше гордится им.
А я и не знал.