Питание ESP8266 от lipo аккумулятора.

nikolz

Well-known member
Где этот результат?

Без проблем, там-же, ещё на первых версиях:

Время загрузки SDK 3.215 мс. Это если считать по вашему.

Время не совпадает. Ни на графиках, ни в ваших заявлениях.
По этому, извиняться придется вам. :)
Вы можете не предуряться?
Если Вы знаете как я считаю то напишите конкретно а не декларируете что Вам привиделось.
Этой картинке в обед сто лет и она единственная никем не подтвержденная.
я не знаю как вы ее рисовали поэтому можно нарисовать что угодно.
Но на этой картинке ясно видно что время старта у Вас это сумма всех отресков от начала до последней вертикальной линии.
-------------------------------------
Т е по моим расчетам по вашей картинке будет 17+27+3.215=47 мс.
Но я вам уже показывал картинку для вашего загрузчика.
В реальности для ESP12 время старта 81 мс а у меня с Nboot 83 мс . т е тоже самое что и у вас в пределах погрешности дискретизации отсчетом ina.
Не подтверждается отрезок в 3 мс он в действительности в 10 раз больше.
Поэтому выкиньте эту картинку и не врите.
 

nikolz

Well-known member
Т.е. не годиться для заряда суперкапа по многим параметрам.
Называется "Резонансный преобразователь".
Многие DC-DC при приближении Uвx и Uвых при малых токах, "впадают" в данный режим.
Названий у таких преобразователей много. Принцип в переключении диода... и использовании резонанса контура...
Отличие от того, что вы пробовали, в итого более чем 90% КПД по передаче энергии.
Из него делаете хотя-бы стабилизатор по току для заряда вашего суперкапа, а не классический DC-DC...
Оптимальный ток определяется батареей/АКБ, а не вашими выдумками. Батарея участвует в резонансном контуре, по этому не получаете КПД менее 50%, как это в ваших случаях :)
Именно по этому, и был использован термин “Индукция”, а не зеленые рожи дебила =AK= :p
Вы заметили что я спросил конкретно и не Вас?
Вы уже задолбали с вашим переписыванием из интернета очевидных пояснений.
Вам очевидно так и не удалось закончить институт вот и вы и пытаетесь читать лекции другим.
Меня не интересуют знания из учебника. Если я что-то не знаю то могу без вашего косноязычного пересказывания обойтись и прочитать учебник самостоятельно.
Полагаю что форум имеет смысл посещать если его участники рассказывают свои личные результаты, т е то что в инете без них не прочитать
а пересказывать инет,как это часто делаете вы ,это нонсенс.
 
  • Like
Реакции: =AK=

=AK=

New member
Но характеристики тока потребления плохие Очень большой импульсный ток при дозаряде суперкапа.
В том устройстве, где я его использовал, к меня нет суперкапа.

А в вашем случае, почему бы вам суперкап не поставить прямо на батарею, до регулятора?
 

=AK=

New member
Вы бы ещё сравнили с взрывом и сгоранием Li-ion
Li-ion от этого защищен. А щелочная батарейка от протечек - нет.

В реальности Li-ion у нас не применим вообще для отрицательных температур.
Заведите тему, опишите свою задачу, тогда можете расчитывать на помощь знающих людей. А по отрывочным комментариям консультировать неэффективно.

Для низких температур вам подойдут литий-тионилхлоридные батарейки. Не забудьте поставить суперкап параллельно батарейке, он критически важен для литий-тионилхлоридных.
 
Последнее редактирование:

pvvx

Активный участник сообщества
Вы можете не предуряться?
Если Вы знаете как я считаю то напишите конкретно а не декларируете что Вам привиделось.
Этой картинке в обед сто лет и она единственная никем не подтвержденная.
я не знаю как вы ее рисовали поэтому можно нарисовать что угодно.
Но на этой картинке ясно видно что время старта у Вас это сумма всех отресков от начала до последней вертикальной линии.
-------------------------------------
Т е по моим расчетам по вашей картинке будет 17+27+3.215=47 мс.
Но я вам уже показывал картинку для вашего загрузчика.
В реальности для ESP12 время старта 81 мс а у меня с Nboot 83 мс . т е тоже самое что и у вас в пределах погрешности дискретизации отсчетом ina.
Не подтверждается отрезок в 3 мс он в действительности в 10 раз больше.
Поэтому выкиньте эту картинку и не врите.
Научитесь хоть чем то пользоваться. Это замер на Saleae Logic. Осциллограф и INA219 его подтверждает.
Исходники даны, готовые бинарные файлы - так-же. Прошивки для теста вам лично тоже давались.
Выходит, что вы нагло врете.

Вот вам пример, работы INA219 при настройке опроса в 84 мкс на замер (168 мкс на оба - U и I) и последующем переключении на другие установки.
Наблюдаются приколы:
Снимок28.gif
(подана пила в 10 Гц)
Примерно так вы и измеряете...

Вы уже задолбали с вашим переписыванием из интернета очевидных пояснений.
Где это переписывание вы нашли? У себя в постах?

Или вы против очевидных вещей, которые вам на банках разжовывают? Мешают продвигать ваши дурацкие выдумки?
---
Flash в режиме QSPI при 52 МГц загружает данные в “кэщ” IRAM со скоростью в два раза менее битовой, т.к. достаточно много накладных расходов в виде передачи команды и адреса и пустого байта до приема блока данных сегмента "кеш". На пальцах это будет (52*4/8)/2 = 13 мегабайт в секунду. Следовательно 21 килобайт штатных блоков SDK загрузится за 21/13000 = 1.6 мс. Учитывая копирование их на ASM в другую область RAM и выходит 3 мс. ROM-BIOS и ваш загрузчик загружает SDK процедурой чтения Flash из ROM в режиме однобитового SPI и там CPU работает с регистрами контроллера блоками по 32 байта на шине в 26 МГц. Итоговое различие отображено на диаграмме Rapid-Loadera.
 
Последнее редактирование:

aag071976

New member
Товарищи, помогите разобраться с потерями на LDO и выбрать самый эффективный:
1. смотрю datasheet на XC6206P332MR: Quiescent Current 1-3 мка. Dropout: 250mV при 100mA .
2. смотрю TSP73633. Там Dropout: 75 mV на 400 ма. Quiescent Current вообще не указан. Но есть какой то GND pin current с неимоверными цифрами: 400мка при IOUT = 10 mA и 800мка при IOUT = 400 mA.
Как в итоге посчитать потери для питания esp32 от 18650 ?
Какой LDO эффективнее?
 

nikolz

Well-known member
Товарищи, помогите разобраться с потерями на LDO и выбрать самый эффективный:
1. смотрю datasheet на XC6206P332MR: Quiescent Current 1-3 мка. Dropout: 250mV при 100mA .
2. смотрю TSP73633. Там Dropout: 75 mV на 400 ма. Quiescent Current вообще не указан. Но есть какой то GND pin current с неимоверными цифрами: 400мка при IOUT = 10 mA и 800мка при IOUT = 400 mA.
Как в итоге посчитать потери для питания esp32 от 18650 ?
Какой LDO эффективнее?
А зачем Вам LDO ставить при питании от 18650?
 

nikolz

Well-known member
считаю что это самое эффективное решение LDO с малым Dropout.
Коллеги, помогте все же сравнить по эффективности 2 LDO между собой
18650 Номинальное напряжение 3,7 В, а ESP работает от 3.6
т е вы будете 0.1 вольта убирать с помощью LDO.
-----------------
Но ESP работает до 2.6 вольт, а c LDO что получите, когда батарейка ниже напряжения стабилизации будет ?
------------------------
Питал ESP от супер кондера с зарядом до 5 вольт без проблем. сжигает микросхему не напряжение, а ток.
Может проще диод добавить последовательно?
 

rst

Member
18650 Номинальное напряжение 3,7 В, а ESP работает от 3.6
т е вы будете 0.1 вольта убирать с помощью LDO.
Очевидно, что LDO будет скорей всего на 3.3V. Или около того.
И при чём тут "номинальное напряжение"?
Разряжать LiPo безопасно до 3.3V. А значит: ставить LDO на 3.6V значит - недоиспользовать ёмкость аккумулятора.

Питал ESP от супер кондера с зарядом до 5 вольт без проблем. сжигает микросхему не напряжение, а ток.
Может проще диод добавить последовательно?
Более вредный совет даже представить трудно... o_O Ещё посоветуйте резистор последовательный. :LOL:
 

rst

Member
Коллеги, помогте все же сравнить по эффективности 2 LDO между собой
Трудно сказать. Но по-моему - 2-й - лучше. Так как ESP8266 обычно много ест, а 2-й получается эффективнее на больших токах потребления.
Хотя всё зависит от режима работы вашего ESP8266. Может он у вас большую часть времени вообще приём/передачу не осуществляет?

PS: В моей задаче ESP8266 почти непрерывно принимает/передаёт, потому для меня был бы 2-й лучше. А ток утечки - вообще не имел бы значения.
 
Сверху Снизу