дешевый мосфет с 3,3v

enjoynering

Active member
да абшибся 12мА на каждую ногу. с учетом этого 100Ом можно ставить и до 5MHz подавать.
 

Вложения

Alex1

New member
@enjoynering А если учесть ещё и сопротивление затвора постоянному току не равно *0*, та на практике можно не 100Ом а даже меньше, от экземпляра к экземпляру фета , прибором проще - проверено
 

pvvx

Активный участник сообщества
@enjoynering Тут всё просто т к напряжение для затвора в 2В и так мало для нормального открывания берём мультиметр берём резистор переменный и уменьшая его ( увеличиваем ток) до тех пор пока он укладывается в нагрузочную способность ESP по шиту ну 10 -15 мА она уж точно годами работать будет
:) А как оно поведет себя, если не стоит резистор на gnd, а пин GPIO являетcя и входом (на время программирования и при старте до входа в процедуры пользователя)?
 

Alex1

New member
@pvvx А кто заставляет ставить ЭТО именно на этот пин, там основных что уже не хватает, или он 7 фетов уже подключить захотел, так пусть микруху с ключами дарлингтона ставит тогда в буфер, если по феншую
не стоит резистор на gnd, а пин GPIO являетcя и входом (на время программирования и при старте
На фоне 100Ом , 10кОм не актуально и погоды не делает, если что
 

enjoynering

Active member
Теже формулы, но потечет в другом направлении - емкость затвора разрядится на внутренне сопротивление входа esp.
 

pvvx

Активный участник сообщества
Согласен, А ещё Я хотел бы посмотреть, как товарищ к своему ШИМу 1кОм-100мкФ, подключит нагрузку 10А на этот полевик посмотрит что будет...... Если вообще шим будет на 0,005Гц , а не треуголосоида )))
А что подскажите поставить для вывода в качестве моста из 4-х транзюков для режима "D" работы на динамики с выходов SPI или I2S для вывода Stereo DSD 256 11.2896Mbit/s (или Stereo DSD 128 5.6448Mbit/s)? (11MHz/6MHz переключения :))
(Правда там RTL-ка, т.к. у неё есть 2xSPI и/или 2xI2S и всё равно планирую попробовать, замерять джиттеры и прочее, как будет на эту нелепость время :) Пока только изучил форматы, да прикинул, что всё пойдет в лет, если работать с SD карты (WiFi может глухануть - захлебнуться в помехах, если делать это на макетке... )
На фоне 100Ом , 10кОм не актуально и погоды не делает, если что
А тама тоже есть решение - дроссель с насыщением к нарузке. Он ограничит ток в первые мкс. :)
По этому, когда всё собрано Ардуинщиком на длинных проводках, то ничего не происходит с транзистором. Когда для него сделают свою плату, то тогда и возникнет множество нонсенсов :)

Теже формулы, но потечет в другом направлении - емкость затвора разрядится на внутренне сопротивление входа esp.
Внутреннее сопротивление не известно. Там ближе к кривому источнику тока, если RESET включены подтяжки - для них отдельные биты конфига (для режимов типа deep_sleep и т.д.), но за всю историю форума про это никто не заикался :). Как они сконфигурированы "по умолчанию" - так-же не спрашивали - т.е. у всех всё "работает" или Ардуинщики пользуются "методом тыка" (это есть факт, хотя-бы по наблюдениям, что у большинства не пашут какие-то GPIO для soft I2C и т.д.) .
Время загрузки до конфигурации пинов пользовательской части в Дурине более 300 ms. За это время на транзистор почуток течет ток внутренней подтяжки к 3.3V, пытаясь его сжечь, если он хорошо нагружен... Повесив резистор на GND убьете максимальное напряжение при рабочем варианте открытия ключа. Это можно посчитать, измерив ток вывода при удержанном RESET и в deep_sleep. Там выйдет, что надотъ не более пары кОм на GND, чтобы противостоять внутренней подтяжке до уровня начального переключения на Gate транзистора. После этого останется момент отключения, когда емкость разряжается через этот резистор на GND, когда жмут RESET или перезагрузка при не отключенном выходе с "1" в нем. А за этим следить никто не будет и нет кода подачи "0" на выходной пин при перезагрузке - это же Arduino (и "Адафрут")! :)
 
Последнее редактирование:

pvvx

Активный участник сообщества
А как они сконфигурированны в arduino esp?
Дурина тут не при чем. Условия то по старту = Состояние битов подтяжек в регистрах SoC по RESET, затем там ковыряется ROM-BIOS, далее стартовый код SDK, тусующий эти биты по указаниям в esp_init_data_default.bin и собственному желанию программеров из Espressif. Далее, после инита SDK и WiFi, уже стартует setup() в дурине, предварительно заинив глобально описанные объекты... Затем уже Loop(), а далее пользователь может нажать опять RESET или в deep_sleep()...
Часть, где сидят аппаратные битики разных режимов для PullUp/PullDown указана в табличках:
Снимок1599.gif
файла pin_reg.xlsx. К примеру тут -> esp8266web/info/ESP8266_reg at master · pvvx/esp8266web · GitHub
....
Вам то это всё зачем? Ардуинщики применяют метод тыка - включили что, и если светодиод мигает и дыма нет = "работает уже год". :)
Попросите =AK= написать "блог" или статейку по этому... Я с глюкоманом ESP8266 + коды от Espressif завязал и для проверки чего уже не хочу их даже включать... А при написании чаго по памяти могу всё попутать.
Ныне, по WiFi SoC, готовлю новый глюкодром на RTL-ках, да и частично Omega2+... Новые глюки интереснее и поле для них там больше - регистров наверно в сотню раз больше у чипов ESP, как и RAM для глюко-программ...
 
Последнее редактирование:

=AK=

New member
Если полевик цеплять через безумный резистор 1кОм при увеличении тока нагрузки он выйдет из ключевого режима и перейдёт в режим усиления, отсюда падение напряжения на нагрузке и его разогрев, 22 -47 Ом ещё куда ни шло. А для правильного управления им, есть правильные драйверы, даже с опторазвязкой, с очень низким выходным сопротивлением и пиковым током до 2А
Всё правильно - в случаях применения даже драйверов, с их выхода, последовательно, на затвор включают резистор от 10 до 33 Ом...
Из этого и параметров ограничения напряжения на Gate (до 20В) и вытекает, что драйвер для неспециализированных транзюков (общего применения) с током более 2A не требуется.
Два невежественных идиота.

Один несет дикую невежественную ахинею про полевик, который "при увеличении тока нагрузки он выйдет из ключевого режима и перейдёт в режим усиления" из-за резистора в цепи затвора. Очевидно, путает полевой транзистор с биполярным и думает, что на резисторе 1кОм в цепи затвора будет какое-то падение напряжения. Не будет, невежда. Постоянный ток через затвор не течет.

Ну а другой ему поддакивает, то есть, соглашается с этим чудовищным бредом.

Низкоомный резистор и мощный драйвер ставят, когда частота переключения нужна большая. А топикстартер включает статическую нагрузку, никакой скорости ему не надо. Да ему хоть 10 кОм в затвор врезать - без разницы.
 
Последнее редактирование:

=AK=

New member
затвор предстваляет из себя обычную емкость.
В первом приближении. Однако эта емкость нелинейна. Поэтому "обычной" ее называть некорректно.

А выход GPIO у ESP8266 не является источником тока
Всякий КМОП выход при перегрузке автоматически переходит в режим источника тока. Потому что на выходе стоят полевики, вольт-амперная характеристика которых именно такова - при больших токах стока их выходное сопротивление становится велико. Так что - опять врете.

и не имеет цепей ограничения выходного тока.
Выходной ток ограничен характеристиками самих транзисторов в выходном каскаде. Так что - снова врете.

Ток ограничивается сопротивлением открытого транзистора,
Выходная ВАХ нелинейна, поэтому рассуждать о каком-то абстрактном "сопротивлении открытого транзистора" бессмысленно. В каждой точке ВАХ выходное сопротивление имеет свою величину. Поэтому - снова врете.

при этом он перегревается и деградирует.
При работе на затвор полевика в качестве статической нагрузки - чушь, за один раз не нагреется. А про деградацию - это опять же чистое вранье.

Я новичков предупреждал, что pvvx врет как дышит и ни одному его слову верить нельзя.
 

Alex1

New member
@=AK= Да ему хоть 10 кОм в затвор врезать - без разницы.
А что так?, в соседнем посте про пины в воздухе, всё у тебя по феншую, (даже про статическое эл-во вспомнил), про графин с водой рядом, а вдруг, правда забыл ))), а тут тяп ляп, так, не хорошо. Вы балабол батенька, насчёт идиота и твоего лица, которое за такие оскорбления обычно бьют, тебе ещё раз напомнить?, О лице... похож на Коломойского такой же хамовитый чел, только он при деньгах, а ты тут всем хамишь, ВСЕМ, вместо этого заработай денег как он, или жену лишний раз чпокни, за это время, она тебе спасибо скажет )))))). А ну да, чем больше бла бла там, тем ниже тут, тогда не надо, хами дальше дядя.
И эксперемент тебе дядя, возьми свой БП от ПК, Я думаю, он у тебя не 300, а киловатник, как у меня, открой и поменяй на затворах резисторы 10Ом на 1кОм, а лучше сразу на 10кОм как у тебя о результатах, доложишь уже с ноутбука......... ботан. :mad:
 
Последнее редактирование:

=AK=

New member
@=AK= Да ему хоть 10 кОм в затвор врезать - без разницы.
А что так?, в соседнем посте про пины в воздухе, всё у тебя по феншую, (даже про статическое эл-во вспомнил), про графин с водой рядом, а вдруг, правда забыл ))), а тут тяп ляп, так, не хорошо. Вы балабол батенька, насчёт идиота и твоего лица, которое за такие оскорбления обычно бьют, тебе ещё раз напомнить?, О лице... похож на Коломойского такой же хамовитый чел, только он при деньгах, а ты тут всем хамишь, ВСЕМ, вместо этого заработай денег как он, или жену лишний раз чпокни, за это время, она тебе спасибо скажет )))))). А ну да, чем больше бла бла там, тем ниже тут, тогда не надо, хами дальше дядя.
И эксперемент тебе дядя, возьми свой БП от ПК, Я думаю, он у тебя не 300, а киловатник, как у меня, открой и поменяй на затворах резисторы 10Ом на 1кОм, а лучше сразу на 10кОм как у тебя о результатах, доложишь уже с ноутбука......... ботан. :mad:
Ты понимаешь разницу между статическим режимом работы и динамическим? Ах, ты и слов таких не слышал, гопота тупая. Ты хоть школу-то закончил, драчун?
 

pvvx

Активный участник сообщества
В первом приближении. Однако эта емкость нелинейна. Поэтому "обычной" ее называть некорректно.
На сколько? Замер в студию - сравним с замерами сделанными много лет назад :p
Тему внимательнее читайте и не путайте про какую емкость идет разговор :p
Всякий КМОП выход при перегрузке автоматически переходит в режим источника тока. Потому что на выходе стоят полевики, вольт-амперная характеристика которых именно такова - при больших токах стока их выходное сопротивление становится велико. Так что - опять врете.
Ой как вы заврались - простейший китайский измеритель возьмите и покажите себе свою глупость :p
Выходной ток ограничен характеристиками самих транзисторов в выходном каскаде. Так что - снова врете.
Не всегда, а спец. технологическим приемом. Картинку поглядите выходных портов - она не секретная :p
Выходная ВАХ нелинейна, поэтому рассуждать о каком-то абстрактном "сопротивлении открытого транзистора" бессмысленно. В каждой точке ВАХ выходное сопротивление имеет свою величину. Поэтому - снова врете.
Угу при одном напряжении на Gate - выходное сопротивление несет кривизну до 10%, т.е. на вашем осле не видать, что и гласит в общем случае, что зависимость линейная :p
При работе на затвор полевика в качестве статической нагрузки - чушь, за один раз не нагреется. А про деградацию - это опять же чистое вранье.
В PDF писана даже Енергия переключения и не всегда тепловое сопротивление связки кристалла и железки может отвести всё, даже если железку охлаждает жидкий азот :p Проверено и есть фото-видо-замеры :p
Я новичков предупреждал, что pvvx врет как дышит и ни одному его слову верить нельзя.
И где же хоть одна ошибка? Видим только ваши гипотетические рассуждения, и то, навязанные с помощью надерганных цитат с подменой смыла для придумывания к ним несущесвующих опровержений. :p
Совсем =AK= скатился...:confused: До чистой выдумки - бредит eуже на яву :eek:

@=AK= - откройте учебники, почитайте статьи, измерьте, да нарисуйте графики своими ручками и замерами и прозреете о своих заблуждениях. А без графиков и подробного описания (не копипаста) претензии и наговоры от вас больше не принимаются и не воспринимаются, а сразу зачисляются в "бред от =AK=".
Про "МОСФЕТ" и вашу путаницу в голове с емкостью G-S намекаю - то, что вы видели какие графики в PDF, но не посмотрели, что её замер делается в определенном включении с коммутацией нагрузки при динамике, когда емкость D-G разряжается на G-S - это и есть вся основная нелинейность, не считая внутреннего технологического "паразитного транзистора" :p А в статике и при описываемых порядках - включение через 1 кОм, этого не проявляется :p G-S не является диодом - у него емкость так не растет при приближении к открытию :) и инжекции "заряда" такой как у диода нет :)
 
Последнее редактирование:

pvvx

Активный участник сообщества
Ой-бедный больной =AK= :(
Два невежественных идиота.

Один несет дикую невежественную ахинею про полевик, который "при увеличении тока нагрузки он выйдет из ключевого режима и перейдёт в режим усиления" из-за резистора в цепи затвора. Очевидно, путает полевой транзистор с биполярным и думает, что на резисторе 1кОм в цепи затвора будет какое-то падение напряжения. Не будет, невежда. Постоянный ток через затвор не течет.
А переменный от с выходной ноги, на входную через их емкость не течет? Если вы там уже совсем запутались, то не буду даже употреблять спец. терминов, а то вдруг совсем запутаетесь? (это про названия ног мосфетов и т.д. :)) Ну и как тама по мере роста напряжения на входной ножке у транзистора с нагрузкой, при подходе к уровню включения? :)

Ну а другой ему поддакивает, то есть, соглашается с этим чудовищным бредом.
Я разговариваю с простыми людьми, а не с "вся в белом". Подучатся и сами поправятся - я не нянька и допускаю их ошибки, давая альтернативу, которая и приведет к понятию ими своих мелких ошибок. Человека не возможно научить - он может только сам учиться. Но это вам уже не грозит :p

Низкоомный резистор и мощный драйвер ставят, когда частота переключения нужна большая. А топикстартер включает статическую нагрузку, никакой скорости ему не надо. Да ему хоть 10 кОм в затвор врезать - без разницы.
С одним, уже объявленным условием - тразюк должен быть мощнее чем требуется на порядки :p
Нда - горе инжинер =AK=... Может уже больной пенсионер, а мы тут так плохо себя ведем (?) :( То-то он всем советовал ослы на ЭЛТ трубках - наверно даже транзисторов не видел, кроме KП103 и потом инфаркты, мозг не справляется и тут Инет и без "вся в белом"?

Дык вот товарисчъ пенсионер инженерии =AK= :

берете транзисторов пачку, паяете измеритель из самого доступного хлама, чтобы каждый пацак мог повторить. Измеряете им (и можете сравнить его с каким проф.оборудованием ) и рисуете графики от руки, если запрограммировать это не сможете на каком хламе или лень. Потом подписываете и поясняете – на кухонно доступном всем языке, а не из какого-то иносранного журнала, сортируете и выкладываете совместно со схемами/программами. Только в таком случае ваши выводы сможет проверить желающие, да научиться на чужих ошибках... У меня по всем ответам это уже есть – вы не первый бредящий пенсионер за более тидцатки лет моих ковыряний в электронных железках… :p И таких научился учиться, а не скатываться и пенять на болезни... На больных и убогих не обижаются, так что паяльник в руки и вперед устранять свои ошибки...
 
Последнее редактирование:

=AK=

New member
На сколько? Замер в студию - сравним с замерами сделанными много лет назад
Все уже миллион раз замеряно производителями. Практически в каждом даташите есть график Qg/Vgs. Вот, например, для IRLZ44
IRLZ44_Qg.png
Давайте, выкладывайте, что вы там замеряли много лет назад. Докажите, что "затвор представляет из себя обычную емкость". Без вашего обычного вранья и словоблудия.

Ой как вы заврались - простейший китайский измеритель возьмите и покажите себе свою глупость
Это вы заврались. Сами приводите результат тестирования выхода ESP на короткое замыкание - люди намеряли не более 50 мА. И после этого опять словесный понос с единственной, очевидно, целью - сбить с толку и запутать новичков.

Угу при одном напряжении на Gate - выходное сопротивление несет кривизну до 10%, т.е. на вашем осле не видать, что и гласит в общем случае, что зависимость линейная
Лживая тварь совсем оборзела. Берем любую ВАХ первого попавшегося полевика, да хоть бы того же IRLZ44. И видим огромную нелинейность характеристики при любом одном напряжении на затворе.

IRLZ44_Vds.png
 

pvvx

Активный участник сообщества
Все уже миллион раз замеряно производителями. Практически в каждом даташите есть график Qg/Vgs. Вот, например, для IRLZ44
А где график указанной емкости от напряжения?
Что - нету? :) Сказано - снимайте сами, потом сравним.
Давайте, выкладывайте, что вы там замеряли много лет назад. Докажите, что "затвор представляет из себя обычную емкость". Без вашего обычного вранья и словоблудия.
Только после вас - в данной теме ещё нет ни одного вашего пояснения или указания проблем и их решений по теме. Наблюдается только полное несогласие со всеми и ор озверевшего и всё путающего пенсионера =AK=.
Лживая тварь совсем оборзела. Берем любую ВАХ первого попавшегося полевика, да хоть бы того же IRLZ44. И видим огромную нелинейность характеристики при любом одном напряжении на затворе.
Посмотреть вложение 4619
Вы боритесь со своей выдумкой. Поставив крылышки к нику, "для того чтобы было заметнее" (это ваше же описание :) почему и было указано) вы на них улетели в свой собственный мирок и вернуться от туда уже не судьба.
Я же живу в реальном мире, а не на "плоской земле" (течение моды ныне такое у некоторых, которые желают заблуждаться и жить в своем виртуальном мирке)...
Ну это всё к чему - вот тот-же график
Снимок1600.gif
и поставлены и точки, при переносе которых получите линейную зависимость, о которой шел разговор, а не о 2-ом этапе 4-х стадийной диаграмме напряжения и тока на Gate, на которые можно разбить процесс включения таких транзисторов по графику напряжения и тока на Gate :p
Вот так и выходит, что вы совсем поросли ложью ради лжи... :p
----
Откройте модели PSpice - там всё, что выходит +-10% от линейности давно описано, но не всегда (не для каждого случая, типа вашего - нестандартного с 1 кОм :) ).

По поводу выкладывания уже описал, что надо тогда всё - чем и почему, а мне счас лень всё собирать, тем более смыла нет - у вас пока борьба с самим собой и очень похожи на разъяренного быка, которому что не покажи красное, ... :)
О могу с обратной стороны - ручное измерение емкости обратной части (можете сравнить с даташитом, а то опять будете бороться сам с собой и орать :)):
CdIRF510grf.gif
Замер емкости сделан с минимальным влиянием (амплитуда переменного напряжения для замера емкости на испытуемых электродах не более 5 мкВ при постоянном смещении указанном на графике, т.к. существует влияние переменной составляющей совместно с постоянным смещением, но это уже читайте журналы "Приборы и Техника Эксперимента", "Физика и техника полупроводников", "Успехи Физических Наук", ... т.к. это я не в состоянии переложить на "кухонный язык").
 
Последнее редактирование:

=AK=

New member
А где график указанной емкости от напряжения?
Так это в сущности он и есть. Поскольку C = Q/U. Вам обязательно надо, чтобы напряжение было по горизонтальной оси, иначе мозгов не хватает осмыслить? Извольте
IRLZ44_Qg.png

Три участка: при малых напряжениях емкость линейна, затем скачком меняется до в разы большей величины, после чего опять скачком уменьшается.

Вы боритесь со своей выдумкой. Поставив крылышки к нику, "для того чтобы было заметнее" (это ваше же описание :) почему и было указано) вы на них улетели в свой собственный мирок и вернуться от туда уже не судьба.
Я же живу в реальном мире, а не на "плоской земле" (течение моды ныне такое у некоторых, которые желают заблуждаться и жить в своем виртуальном мирке)...
Ну это всё к чему - вот тот-же график
и поставлены и точки, при переносе которых получите линейную зависимость, о которой шел разговор, а не о 2-ом этапе 4-х стадийной диаграмме напряжения и тока на Gate, на которые можно разбить процесс включения таких транзисторов по графику напряжения и тока на Gate
Ну да, как и следовало ожидать, когда его прижали к стенке фактами, юродивый тут же перешел на бессмысленное словоблудие.
 
Последнее редактирование:

pvvx

Активный участник сообщества
Так это он и есть. Поскольку C = Q/U. Вам обязательно надо, чтобы напряжение было по горизонтальной оси, иначе мозгов не хватает осмыслить? Извольте
Посмотреть вложение 4622
Такова зависимость емкости затвора от напряжения на затворе. Ну а ваши липовые измерения где? Обтекаете?
Неа. Это не реальная "емкость", измеряйте, а потом уже прикладывайте к тому что не понимаете... :p
Ну да, как и следовало ожидать, когда его прижали к стенке фактами, юродивый тут же перешел на бессмысленное словоблудие.
Очередная виртуальность от заблудшего =AK=, т.к. графика так и не представлено, а идет подгонка, под его "плоскую землю" и вид с неё.
Измерение начните с подхода, что есть черный ящик с тремя выводами G, S , D. Соответственно у нас 3 емкости, а разговор про одну :p Или вы думали, что вам просто так дал другую? :) Проверку на работу мозга не прошли - опять улетели на крылышках в свой мирок, прикрывшись иносранными лопухами :)
 
Последнее редактирование:

=AK=

New member
Неа. Это не реальная "емкость", измеряйте, а потом уже прикладывайте к тому что не понимаете...
Тупица. Еще раз, из курса школьной физики: C=Q/U. Поэтому график зависимости заряда от напряжения, если есть мозги, преобразуется в график зависимости емкости от напряжения так, как было описано словами выше, и как нарисовано красным ниже:

IRLZ44_Qg.png
Никакой "линейностью" здесь и близко не пахнет, чмо.
 

pvvx

Активный участник сообщества
Тупица. Еще раз, из курса школьной физики: C=Q/U. Поэтому график зависимости заряда от напряжения, если есть мозги, преобразуется в график зависимости емкости от напряжения так, как было описано словами выше, и как нарисовано красным ниже:

Посмотреть вложение 4623
Никакой "линейностью" здесь и близко не пахнет, чмо.
Ещё раз - какой емкости из трех? :)
И при каких условиях на третьей ножке? :) Хотя-бы замер с динамикой или статика на "третьей"? :)
И расскажите пожалуйста, какая емкость на полном открытом диоде, согласно вашей формуле :) :)
 
Последнее редактирование:
Сверху Снизу