Скрыть объявление
На нашем форуме недоступен просмотр изображений для неавторизованных пользователей. Если Вы уже зарегистрированы на нашем форуме, то можете войти. Если у Вас еще нет аккаунта, мы будем рады, если Вы к нам присоединитесь. Зарегистрироваться Вы можете здесь.

дешевый мосфет с 3,3v

Тема в разделе "Железные вопросы по esp8266", создана пользователем roversochi, 12 сен 2017.

  1. =AK=

    =AK= Гуру

    Сообщения:
    1.209
    Симпатии:
    100
    По слогам, для тупых. Красной линией на графике показана зависимость емкости затвора от напряжения затвор-исток. Напряжение на стоке на этот график влияет слабо, в зависимости от напряжения на стоке переход на третий участок произойдет чуть раньше или чуть позже.
     
  2. pvvx

    pvvx Активный участник сообщества

    Сообщения:
    8.480
    Симпатии:
    1.274
    И вернулись к первому вопросу - там указана емкость G-S, или S-D, или G-D? :)
    Или из аббревиатуры PDF - Ciss ?
    И далее ко второму вытекающему вопросу - емкость по вашим формулам из "мурзилки" имеет связь с энергией (ну типа АКБ). Обычный выпрямительный диод в состоянии поглотить и отдать порядка кВт в открытом состоянии...
    Как же тут работает ваша мурзилка?
     
    Последнее редактирование: 16 сен 2017
  3. =AK=

    =AK= Гуру

    Сообщения:
    1.209
    Симпатии:
    100
    Ликбез: G=gate - это затвор, S=source - исток, D=drain - сток. Если на графике ось обозначена "gate-to-source voltage", то по-русски это будет "напряжение затвор-исток", а сокращенной форме - Vgs
     
  4. pvvx

    pvvx Активный участник сообщества

    Сообщения:
    8.480
    Симпатии:
    1.274
    Ну хорошо - на открытом диоде к примеру 10В. Отпускаем - 10В держится длинной полкой, а потом резко сваливается не по емкостному типу, но средняя часть спада почти совпадает с разрядом "C" на "R". Как будем прикладывать вашу формулу? Время удержания полки больше зависит от температуры при одинаковом времени импульса заряда и тока...
    Примерно эту картинку графика вы и приводите, но это емкости S-D и G-D, а не G-S :p
     
    Последнее редактирование: 16 сен 2017
  5. =AK=

    =AK= Гуру

    Сообщения:
    1.209
    Симпатии:
    100
    В огороде бузина, в Киеве дядька. От полевиков юродиевый перескочил на диоды и несет уж просто шизофренический бред про "10В на открытом диоде". Надо понимать, что после того, как pvvx прилюдно обсирается, его бормотание становится совсем бессмысленным, чтобы хоть как-то отвлечь внимание.
     
  6. pvvx

    pvvx Активный участник сообщества

    Сообщения:
    8.480
    Симпатии:
    1.274
    Дык пока не видно от вас чего-то вразумительного, кроме "вся в белом" и "с крылышками". Одни копипасты из журналов Мурзилка :)
    Приводите простейшую формулу, навязывая её на составное устройство с массой нелинейных элементов, а простую емкость между двумя электродами высчитать не можете :p
     
  7. =AK=

    =AK= Гуру

    Сообщения:
    1.209
    Симпатии:
    100
    Я за свои слова отвечаю, в отличие от вас. И уж бессмысленного бреда про "10В на открытом диоде" от меня никто не слышал. Вы какой диод имели ввиду, ламповый, что ли? Или у вас просто шарики за ролики заскочили в пылу полемики, как это часто и ранее наблюдалось?
     
  8. pvvx

    pvvx Активный участник сообщества

    Сообщения:
    8.480
    Симпатии:
    1.274
    Где же бред? Вы опять попутали "instantaneous forward voltage" с напряжением до этого :)
    Может вам это поможет Эффект Миллера — Википедия ? :)

    ----
    О - есть Мурзилка с картинками, как раз для =AK= https://www.infineon.com/dgdl/mosfet.pdf?fileId=5546d462533600a4015357444e913f4f . Там ему нарисовали Cgs :)
    А тут http://www.onsemi.ru.com/PowerSolutions/document/AND9083-D.PDF , даже часть зависимостей его любимого заряда, по которой он пыжится вычислить емкость Cgs описали...
    Но измерить он не может. У него наверно даже транзисторов нет - всё отобрали доктора ? :)
    @=AK= - зачем пыжитесь - формула для моделирования не обязана иметь все реальные составляющие, т.к. это модель для расчета, а не физическая емкость Cgs :p Её вы сможете только измерить, учтя всё остальное. В месте её физического расположения полупроводника нема и меняться ей не от чего, кроме препробойных случаев, когда "дырки" и/или электроны ползают уже везде вокруг, где им не надо :p
    Дальнейший разговор на данную тему с неучем =AK= бесполезен, пока он сам не сделает замеры... Выпирает его нулевая практика в электронике - ничего не может выразить своими словами и нулевой опыт в создании каких-либо электронных устройств. Пора бы начать, а не витать в облаках, хотя-бы с замера Cgs :)

    Ну и как итого - =AK= рекомендует делать само-возбуждающиеся генераторы на igbt и прочем хламе с резистором в цепи их управления в 1 кОм строго по ссылке из статьи в вики Подавление эффекта Миллера в схемах управления MOSFET/IGBT новичкам, т.к. желает пожара (?) :)
     
    Последнее редактирование: 16 сен 2017
  9. =AK=

    =AK= Гуру

    Сообщения:
    1.209
    Симпатии:
    100
    Бла-бла-бла... Трепло невменяемое.

    В сухом остатке по теме вот что:
    - IRLZ44 в статическом режиме может удовлетворительно управляться пином ESP8266 при 3.3 В питании. Для уверенного открытия лучше поставить на пин резистор (порядка 10к) подтяжки к 3.3В , как советовали ранее.
    - Затвор IRLZ44 можно напрямую подключить к пину ESP, ничего плохого не произойдет, какой бы бред на сей счет ни нес pvvx. Однако это моветон, и лучше затвор подключить через резистор 100 Ом ... 10 кОм. Это уменьшит броски тока в питании и, как следствие, немножко уменьшит вероятность сбоев ESP.
     
  10. pvvx

    pvvx Активный участник сообщества

    Сообщения:
    8.480
    Симпатии:
    1.274
    Т.е. ваш бред на несколько страниц был чтобы утвердить то, что я описал с указанием причин и конкретизацией почему? Явно =AK= тупой и полный идиот.
    Для поделок, над которыми идет постоянный контроль это "работать" будет, но даже для мелкосерийного производства это недопустимо, тем более с указанными =AK= номиналами.
    Но и в итого, выходит, что при включении подтяжки к 3.3В при включении ESP8266 ключ всегда будет срабатывать и для случая, когда это не желательно, установка подтяжки на GND в 10 кОм не всегда решит этот вопрос.
    "Поиск оптимума подразумевает, что идеального решения здесь быть не может."
     
    Последнее редактирование: 17 сен 2017
  11. =AK=

    =AK= Гуру

    Сообщения:
    1.209
    Симпатии:
    100
    Опять пустословный словесный понос от технического идиота и патологического лжеца, прославленного перлами "10В на открытом диоде", "аналоговый осциллограф не может иметь частоту развертки сто мегагерц", "затвор представляет из себя обычную емкость", "выходное сопротивление полевого транзистора несет кривизну до 10%" и т.д и т.п.
     
    Последнее редактирование: 17 сен 2017
  12. pvvx

    pvvx Активный участник сообщества

    Сообщения:
    8.480
    Симпатии:
    1.274
    Это ваши выдумки и даже не мои цитаты. А было:
    Более 20В на открытом диоде используется практически в любом генераторе нс импульсов (по методу ДДРВ). Открытие диода производится на 100..200 нс токами от 10A. Такие-же процессы происходят при динамике в переходных моментах работы любого MOSFET. Т.к. =AK= в место статического управления (медленных сигналов управления через резистор на Gate) подсовывает графики из ситуации предельной их динамики, то в таком случае этот пример является описанием части процессов, происходящих в транзисторе на его графиках.
    Из-за большой практики и в данном вопросе, ваша (а может не ваша, но там подпись =AK=) валяющаяся в инет надерганная из разных переводов других авторов единственная "статья" выглядит смешной и не соответствует нынешним реалиям. :p

    Зависимость выходного сопротивление открытого транзистора имеет отклонения от изменения напряжения управления не более 10% в рабочей области этого режима (и описанной ситуации, где это было приведено, а не к подразумеваемому случаю, который =AK= пытается навязать :p).

    Дешевый аналоговый осциллограф с ЭЛТ не может иметь частоту развертки более сто мегагерц, т.к. усилить не в состоянии обеспечивать линейную полосу выходного сигнала на пластины отклонения в 20..100 раз более (0.. 2ГГц) с необходимой амплитудой (от 20 В p-p). Для анализа скоротечных процессов на ЭЛТ осциллографах применяют метод стробоскопа с линией задержки и переносом сигнала в более низкочастотную область. Но сделать можно всё - и единичный специализированный усилитель, и электроды в ЭЛТ с согласованием по полосе из специальных дорогущих композиционных материалов и встроенных "терминаторах" линии. Но такой вариант для "дома и семьи" не годиться, а данное =AK= предлагал в теме о простом осциллографе. Там-же ситуация закончилась аналогично, после демонстрации полной бессознательности на несколько страниц =AK= признал то, что было описано в первых моих и чужих постах той темы :)

    Величина емкости Cgs у MOSFET практически не зависит от напряжения управления на электродах G-S и представляет из себя обычный конденсатор с пластинами окруженными диэлектриком и диэлектрическими связями с другими электродами у которых прокладки уже выполнены полупроводником и имеют массы зависимостей от приложенных воздействий. Это технологическое свойство MOSFET. Данное свойство было указано по причине, что не следует подключать транзистор напрямую на выход GPIO и аналогично подключению обычной емкости в несколько нФ (для мощных транзисторов). Но спам-бот =AK= это не нравиться и он пытается это опровергнуть в своих целях "вся в белом" хотя тема не про это, и тут-же терпит крах, от чего начинает вилять, лгать, подставлять что ему вздумается тем самым показывая, что знаний у него вообще нет. :)
    Оставлю =AK= всю жизнь мучатся, пока он не измерит сам Сgs, т.к. этого нет в доступной всем литературе :p

    Проблема =AK= давно выявлена - это копипастер без понятий как и что работает в электронике. Об этом свидетельствует его несостоятельность описать что либо своими словами или в другой парадигме. Нет у него знаний, а имеющиеся “опровержения” он находит в инете и копирует, считая, что это истина -он же не понимает про что идет разговор и тупо ищет сопоставления по словам, как примитивный спам-бот :). Таких троллей, как =AK=, в инете масса. После увода темы на разбор незначащих вопросов по типу "у кого длиннее", следующим шагом у них является указание на ошибки в пунктуации по типу "не такая буква используется" влезая в разговор простых людей не пишущих литературное или техническое произведение для публикации, а просто разбирающих тему.

    @=AK= - хотите я переведу работу MOSFET на парадигму по “теплороду” - все зависимости будут выражены через теплопередачу и т.д.? При этом всё совпадет с имеющимися 3-мя выработанными общественными парадигмами из представления и описания. Без разницы, в чем выражать энергию/время – можно и в лошадиных силах. Мне это по брабану, когда это согласуется с практикой и подходит для моделирования, т.к. достаточно опыта с ними и знаний самой физики. Но вы явно показали, что не имеете даже базового понятия как работает простейший MOSFET и говорить о чем-то далее с вами нет смысла. Если обратиться к поиску =AK= в инет, то картинка данного зверя видна – в 60% его встреваний в разговоры оппоненты указывают, что его советы и приветы не по теме и не подходят и решений вопроса не дают. В другой части сообщений от =AK= наблюдается реклама его-же единственной смешной “статейки” на пару абзацев :) Видимо от такой печальной участи он превратился в спам-бота и тупого тролля. :pОстается только пожелать ему выздоровления и опускания с неба, путем обрезания крылышек...
     
    Последнее редактирование: 17 сен 2017
  13. pvvx

    pvvx Активный участник сообщества

    Сообщения:
    8.480
    Симпатии:
    1.274
    Возникает ещё одна смешная ситуация с рекомендациями от =AK= - все остальные, кроме, “вся в белом”, зачем-то придумали и ставят драйверы управления для мощных выходных MOSFET и IGBT. По понятиям =AK= они лжецы и прочее, что не могли просто подключить по "уже" его рекомендации IRLZ44 через 10 кОм :)

    IRxZ44 (раскрыть)
    IRFZ44/ IRLZ44:

    Single Pulse Avalanche Energy = 400 мДж при Rgate 25 Ом и нагрузке в 51A (179 μH), 25 В, +25C и сигнале управления импульсом включения в 5 В. Параметр описывает примерную предельную энергию, когда кристалл при включении засветиться вспышкой (если у вас проф. камера ИФК и УФ и оголить от корпуса - пример но транзистор npn) и получит сразу температуру выноса примесей из активных участков (будет не успевать отдавать тепло любым установленным радиаторам).

    Drain-source non-repetitive energy всего примерно 110..120 мДж, до выхода из строя.

    Эквивалент нагрузки светодиодной лентой является (по приоритету участия на динамику токов включения и выключения): резистор + емкость с пар. нелинейным резистором + индуктивность.

    Из сего отключение не вызовет большого индуктивного всплеска, а вот включение вызовет небольшое увеличение стартового пикового тока (и более быструю деградацию светодиодов из-за их слабых электродов и разрушения вокруг них эмиссионной области, по чему и не рекомендуется их включать в переменный ток или напрямую на ШИМ, без сглаживания).

    Плавное включение организовать одним только MOSFET не выйдет и это упустим.

    При включении, через резистор 10 кОм, продолжительность нахождения транзистора в нелинейном режиме переключения с критическими температурами возрастет в сотни раз. Из это возникает ограничение максимальной нагрузки, т.к. она добавляет ещё свой ток, кроме внутренних, и возникает банальный перегрев кристалла со всеми тяжкими... Справиться с этим можно, если снять нагрузочный ток в момент включения транзистора путем подачи питания нагрузки хотя-бы через 100..1000 нс от момента окончания переходных процессов в нем (время зависит от технологических параметров конструкции транзистора отводить от кристалла тепло до уровня температуры близкой к внешней/радиатору после отключения нагрузки/нагрева). Тогда переходного процесса у транзистора нет и кристалл встречает нагрузку на холодную и может отдать по мере нагрева радиатора сверх ток, обычно более указанных в PDF в 1.2..1.5 раза (при производстве транзисторы всегда делают с запасом…). Но это надо включать всякие дроссели с насыщением, ставить драйверы MOSFET и прочее…

    Светодиодные ленты обычно рассчитаны на 12 В. Если всё прикинуть, то выйдет, что предел коммутации у IRFZ44/ IRLZ44 по предложению от =AK= лент до 5..15 Вт :) и это с учетом что нет кривых рук, выбран правильный GPIO и ПО. Если поставить резистор на Gate менее 100 Ом и предусмотреть описанные ранее ситуации (чем хотите, хоть доп. транзисторами или внешним MCU), то получим возможность для IRxZ44 коммутации св.лент без драйвера и радиаторов в более 100 Вт.
     
    Последнее редактирование: 17 сен 2017
  14. enjoynering

    enjoynering Авторитетный участник сообщества

    Сообщения:
    544
    Симпатии:
    51
    у меня как раз глюки с I2C.
    Ну хорошо - во время старта пины ведут себя согласно esp_init_data_default.bin. Но потом то в setup() пишем wire.begin() который включает подтяжки. почему какие-то GPIO для soft I2C не пашут?
     
  15. pvvx

    pvvx Активный участник сообщества

    Сообщения:
    8.480
    Симпатии:
    1.274
    В Arduino IDE с I2C это всё от кривости библиотек, т.е. причины чисто в SOFT. Есть профильные темы по этому поводу в разделе https://esp8266.ru/forum/forums/ESP8266-Arduino-IDE/ (я не пользуюсь и не пользовался Arduino на ESP8266).
     
  16. AndrF

    AndrF Активный участник сообщества

    Сообщения:
    338
    Симпатии:
    33
    Использую brzo_i2c - проблем с какими либо пинами не было обнаружено. Разве что не подключал I2C к GPIO15 - по весьма понятной причине.

    Сейчас в основном использую на 0 и 2 пинах.
     
  17. =AK=

    =AK= Гуру

    Сообщения:
    1.209
    Симпатии:
    100
    Дешевые отмазки. Лживая тварь, которой прищемили хвост, и дрейфовые диоды ни к селу ни к городу приплела, и транзистор вдруг оказался "открытым", и осциллограф стал не любой, а только "дешевый", и емкость затвора наконец-то стала линейной с оговорками.

    Повторяю для тех, кто не следил за аргументами.

    Для включения статической нагрузки, как у топикстартера, - можно подключать напрямую. Пиковый ток заряда затвора будет ограничен на уровне порядка 50 мА, это ток к.з. выхода ESP. Происходит ограничение тока без использования специальных схем защиты, просто за счет выходных характеристик полевых транзисторов в выходном каскаде ESP - при повышении тока нагрузки они из низкоомного состояния переходят в режим генератора тока, как было показано на приведенном выше примере ВАХ. Всякую ерунду, которую нес pvvx по этому поводу, что сопротивление MOSFET якобы меняется всего на 10%, следует воспринимать только как свидетельство его невменяемости. Никакого перегрева и мифической деградации при прямом подключении тоже не будет, поскольку процесс включения-выключения очень редкий, а средняя мощность, соответственно, совершенно мизерная.

    За счет того, что коммутация нагрузки очень редкая, затвор можно также подключать и через резистор величиной вплоть до 10 кОм. Преимущество от использования резисторя в затворе состоит в уменьшении пичков тока в питании. Впрочем, на фоне пиковых токов питания ESP, которые достигают 300 мА и более, выигрыш в 50 мА не очень-то велик, но уж хоть шерсти клок. При сопротивлении 10 kOhm в затворе частота переключений нагрузки будет ограничена длительностью переходного процесса заряда или разряда емкости затвора IRLZ44, которую оценочно можно принять равной примерно 30...50 мкс, что для включения-выключения света даже раз в секунду никакой роли не играет.

    Упоминания о всяких специализированных драйверах для управления MOSFET в этом контексте - прямое свидетельство ламерства pvvx. Микроскопом тоже можно гвозди забивать, если ума нет. Обратная сторона использования мощного драйвера - это допонительные мощные короткие пики тока в питании. Чтобы совладать с ними нужно ставить фильтры в питании, грамотно делать разводку земли, и т.п. Никому не нужный геморрой на пустом месте.
     
    Последнее редактирование: 18 сен 2017
  18. enjoynering

    enjoynering Авторитетный участник сообщества

    Сообщения:
    544
    Симпатии:
    51
    да переписал эту кривую библиотеку. использовал UM10204. Вроде пару косяков исправил, но все равно подглючивает. Значит не все отловил. Работать стала стабильнее.
     
    Последнее редактирование: 18 сен 2017
  19. =AK=

    =AK= Гуру

    Сообщения:
    1.209
    Симпатии:
    100
    Стоит заметить, что на таких простых вопросах, как этот топик, отлично проверяются на вшивость всякие мнoгословные краснобаи. И если даже в простейших вопросах pvvx несет невежественную ахинею, врет и изворачивается, то можно быть уверенным, что и во всех прочих вопросах он несет ахинею и врет точно так же. Только там его труднее поймать с поличными на вранье.
     
  20. KomX

    KomX Читатель

    Сообщения:
    61
    Симпатии:
    5
    Признаться, меня трудно рассмешить, как и вывести из себя...
    Вам, @=AK=, это удалось!
    Насколько мне помнится, топик стартер управляет светодиодной лентой ШИМ-импульсами. Поэтому, умножим 50 мА как минимум на три и получим суммарный ток в затвор 150 мА. Это ж половина потребляемого тока! Если ещё учтём, что такой же ток будем "сливать" в выходной каскад при закрытии MOSFET-а, то Вам уместнее снять с себя всякую ответственность за использование Ваших, весьма "грамотных" советов.
    Теперь о Вашем "ноу-хау" в ля 10 кОм.
    Мало того, что MOSFET не дополучит требуемого напряжения на затворе и будет иметь минимум в 3 раза завышенное сопротивление канала при 3.3в., так транзистор ещё "примерно 30...50 мкс" будет работать в линейном режиме. Браво!
    С учётом же ШИМ-режима с минимально комфортной частотой более 25-30 Гц (период меньше 40 мкС) транзистор и вовсе никогда не войдёт в ключевой режим... Тысяча раз "Браво!"

    Вывод: Чем давать такие "умные" советы, молчали бы лучше... Глядишь, за умного бы и сошли.

    P.S. Как надоело Эта Ваше маниакальное стремление "обгавкать" всех и вся вокруг.
     

Поделиться этой страницей