IRFZ44/ IRLZ44:
Single Pulse Avalanche Energy = 400 мДж при Rgate 25 Ом и нагрузке в 51A (179 μH), 25 В, +25C и сигнале управления импульсом включения в 5 В. Параметр описывает примерную предельную энергию, когда кристалл при включении засветиться вспышкой (если у вас проф. камера ИФК и УФ и оголить от корпуса -
пример но транзистор npn) и получит сразу температуру выноса примесей из активных участков (будет не успевать отдавать тепло любым установленным радиаторам).
Drain-source non-repetitive energy всего примерно 110..120 мДж, до выхода из строя.
Эквивалент нагрузки светодиодной лентой является (по приоритету участия на динамику токов включения и выключения): резистор + емкость с пар. нелинейным резистором + индуктивность.
Из сего отключение не вызовет большого индуктивного всплеска, а вот включение вызовет небольшое увеличение стартового пикового тока (и более быструю деградацию светодиодов из-за их слабых электродов и разрушения вокруг них эмиссионной области, по чему и не рекомендуется их включать в переменный ток или напрямую на ШИМ, без сглаживания).
Плавное включение организовать одним только MOSFET не выйдет и это упустим.
При включении, через резистор 10 кОм, продолжительность нахождения транзистора в нелинейном режиме переключения с критическими температурами возрастет в сотни раз. Из это возникает ограничение максимальной нагрузки, т.к. она добавляет ещё свой ток, кроме внутренних, и возникает банальный перегрев кристалла со всеми тяжкими... Справиться с этим можно, если снять нагрузочный ток в момент включения транзистора путем подачи питания нагрузки хотя-бы через 100..1000 нс от момента окончания переходных процессов в нем (время зависит от технологических параметров конструкции транзистора отводить от кристалла тепло до уровня температуры близкой к внешней/радиатору после отключения нагрузки/нагрева). Тогда переходного процесса у транзистора нет и кристалл встречает нагрузку на холодную и может отдать по мере нагрева радиатора сверх ток, обычно более указанных в PDF в 1.2..1.5 раза (при производстве транзисторы всегда делают с запасом…). Но это надо включать всякие дроссели с насыщением, ставить драйверы MOSFET и прочее…
Светодиодные ленты обычно рассчитаны на 12 В. Если всё прикинуть, то выйдет, что предел коммутации у IRFZ44/ IRLZ44 по предложению от =AK= лент до 5..15 Вт
и это с учетом что нет кривых рук, выбран правильный GPIO и ПО. Если поставить резистор на Gate менее 100 Ом и предусмотреть описанные ранее ситуации (чем хотите, хоть доп. транзисторами или внешним MCU), то получим возможность для IRxZ44 коммутации св.лент без драйвера и радиаторов в более 100 Вт.
