дешевый мосфет с 3,3v

[=AK=]

Насколько мне помнится, топик стартер управляет светодиодной лентой ШИМ-импульсами.

C чего вы это взяли? В первом посте черным по белому написано:

Есть у меня сборка на ардуине, для автоматического и плавного включения света в коридоре. Светодиодная лента включается от IRLZ44N, у него напряжение Vgs около 5 вольт, то есть ардуиновского пина хватает вполне.

Где тут ШИМ?

Поэтому, умножим 50 мА как минимум на три и получим суммарный ток в затвор 150 мА.

Почему надо "умножить на три"? Может, вы думаете, что у него RGB лента? Так ведь ни слова об этом нет. Топикстартер просто включает и выключает ленту. Пре желании может и ШИМ устроить для регулировки яркости, тогда резистор в затворе становится более желательным.

Поэтому, умножим 50 мА как минимум на три и получим суммарный ток в затвор 150 мА. Это ж половина потребляемого тока!

Итак, 150 мА на вашей совести. Ну а сравнивыать с "потребляемым током" бессмысленно, поскольку время заряда и разряда очень короткое. Емкость 2 нФ зарядится током 50 мА до 3.3В примерно за 100 нс. Недаром я не уставал повторять про "короткие пички тока". Они не пройдут дальше ближайшего блокировочного керамического конденсатора в питании.

Единственный ожидаемый негативный эффект от них - ухудшение помехоустойчивости. Я об этом тоже говорил.

Если ещё учтём, что такой же ток будем "сливать" в выходной каскад при закрытии MOSFET-а, то Вам уместнее снять с себя всякую ответственность за использование Ваших, весьма "грамотных" советов.

Принципиально никакой разницы нет, заряжается ли затвор или разряжается. Это зеркальные процессы. Ток циркулирует по практически одинаковым путям, только ток заряда пойдет от ножки питания ESP, а ток разряда - через земляную ногу. И что вы тут собрались "учитывать"?

Теперь о Вашем "ноу-хау" в ля 10 кОм.
Мало того, что MOSFET не дополучит требуемого напряжения на затворе и будет иметь минимум в 3 раза завышенное сопротивление канала при 3.3в.,

В честь чего это? Куда это оно денется, если статический ток затвора равен нулю? Через 50 мкс на затворе будет 3.3В.

так транзистор ещё "примерно 30...50 мкс" будет работать в линейном режиме. Браво!

А что в этом плохого, вы можете сказать? Или вам это не нравится чисто из религиозных соображений?

Давеча pvvx глупые выдумки постил про "страшенную емкость светодиодной ленты", из-за которой MOSFET якобы непременно выйдет из строя. Если же транзистор медленно включать, то ему даже реально большая емкость нагрузки не страшна.

За счет нелинейности передаточной характеристики ключевого MOSFET, если время заряда емкости затвора порядка 50 мкс, то фронт на стоке будет в несколько раз короче, порядка 20 мкс и менее. Ток 12В светодиодной ленты примерно 1А, от силы 2А, пусть будет 2А. Пиковая мощность в середине фронта не более 6В*1А = 6 Вт, что этот полевик легко выдерживает даже в режиме постоянного тока. Форма графикка мощности - треугольная, пик 6 Вт, средняя мощность вдвое меньше, длительность по основанию треугольника 20 мкс. MOSFET не то что не нагреется за это время, вы подручными средствами даже не сможете обнаружить повышение температуры.

С учётом же ШИМ-режима с минимально комфортной частотой более 25-30 Гц (период меньше 40 мкС) транзистор и вовсе никогда не войдёт в ключевой режим... Тысяча раз "Браво!"

25 Гц - период 40 миллисекунд, а не 40 микросекунд. Вы в ТЫСЯЧУ раз ошиблись. Н-да, очень хорошо вижу какой вы "знаток"...

Замечу, что 10 кОм я предлагал для статического режима. Однако, извольте, можете и ШИМ реализовать с 10 кОм в затворе. Например, 100 Гц, период 10 мс (не 10 мкс, а 10 миллисекунд). В каждом периоде MOSFET включится и выключится, т.е два раза по 20 мкс со средней мощностью 3 Вт. Суммарные потери мощности на фронтах переключения таким образом составят 3*40/10000 = 12 мВт (милливатт).

И вот такие "знатоки" лезут поучать электронного инженера с несколькими десятками лет стажа...

 

[pvvx]

Мало того, что MOSFET не дополучит требуемого напряжения на затворе и будет иметь минимум в 3 раза завышенное сопротивление канала при 3.3в.,

Тут вы ошиблись - в затворе нет внутреннего сопротивления в статическом состоянии/управления для примера цепи источник-резистор-G-S . G-S = обычная емкость и зарядиться до предела источника хоть через 100 кОм...10 МОм по формуле RC. Всякая нелинейность там возникает только в динамике и-за изменения напряжения между D-S, через паразитные (в основном емкостные) связи G-D.

так транзистор ещё "примерно 30...50 мкс" будет работать в линейном режиме.

И тут не совсем точно - забыт Эффект Миллера — Википедия
Из-за него, особенно при разных типах нагрузки и коммутируемых напряжений переходный режим может продлиться неизвестное время. По этому и ставят не более 47 Ом на Gate. В итоге сокращая постоянную времени заряда/разряда цепи Сgd - Rg.
А насчет тИоретИка Тролля =AK= - у него нет знаний из практики, это спам-бот по типу "начитанных" Википедии и даже понимания что он пишет у него нет - одни чужие заученные фразы и он вас сожрет, если допустите хоть какую ошибку в посте, даже пропуск буквы. Это основа его споров, а саму тему он никогда не читает. Т.е. если напишите 10, в смысле десятков, он обязательно развернет флейм на несколько страниц, что вы указали число 10, а не смысловое сокращение "в десятки раз" и подобное... Голова у него не работает на обычные общепринятые ассоциации и смысл ваших сообщений, как тематику ветки, где они размещены он разбирать не может. Только придираться к синтаксису и одиночным разрозненым вырезанным из контекста фразам к его заученным постулатам в одной единственной парадигме. Хуже робота - описание A и В сидели на трубе,... вызывает у него перегрев и несколько страниц спаму.
Ну это к тому - давите чтобы он описал что своими словами, подтвердил это на своем эксперименте и представил "в студию", а не с сылками на другие и копипасты, тогда он убежит тут-же, сославшись что у него нет времени (а на самом деле мозгов - одни шаблонные сравнители с узким кругозором и частичные знания в древней документации STM32).

 

[pvvx]

C чего вы это взяли? В первом посте черным по белому написано:
Где тут ШИМ?

Это не частный блог автора темы. По смыслу названия и направленности форума был поставлен вопрос о выборе и схеме подключения дешевого MOSFET на GPIO.
В итоге влезаний =AK= тема постоянно уходит в дебри, а итого, с выработкой оптимальных номиналов схемы и описания в каких случаях что более применимо и почему не происходит. А это хочет знать не один автор и FAQ для "начинающих" не выходит.
Основная причина - =AK=, из-за убогости своего мышления и псих.болезней, он не понимает, про что тема и какие цели, а превращает её в препинания о знаках пунктуации и о "весь в белом" великий инженер =AK= без опыта в решениях даже таких простейших вещей.

За время влезания в данную тему =AK= мы имеем от данного великого инженера с большим временем просижывания штанов единственное техническое обоснование – “включение напрямую MOSFET на GPIO есть МОВЕТОН”. Т.е. всё, что он может сказать по теме обоснуется им техническим термином – моветон и причины он указать не может (просто не знает - типа так принято где-то, а он тупо повторяет).

 

[pvvx]

Зайдем по аналогии =AK= и диктуемым им принципов:

Ток 12В светодиодной ленты примерно 1А, от силы 2А, пусть будет 2А.

Где топикастер указал ток его ленты? У меня вот две ленты по 5 метров в параллель на кужне и любая вики гласит, что вы ошиблись почти на порядок (2x4A)
БП на китайские 120 Вт перегревается, а коммутатор (опять же китайский) как раз сделан по вашей схеме - Rg там к 1 кОм и MOSFET вылетел уже не раз (хотя по даташиту у него в 10 раз запас по среднему постоянному току).
Видимо проектировщиком этой байды был инжИнер =AK=?

Или =AK= хочет сказать, что чтобы коммутировать нагрузку в 1A по его схеме надо ставить транзистор с расчетными токами в 100A и прикрутить ненужный радиатор, который и его не спасет от деградации при переходных режимах, но это не скажется, т.к. кристалл большой и запас для этого большой?

Может посоветуете всем на "Камазе" в булочную ездить?
Тавайте посчитаем:
В Arduino дети делают эксперименты с лентой 12В 1A. Т.к. вся эта байда с Arduino нестабильна, то это значит, что в какой-то момент может выйти, что на транзисторе будет рассеиваться 12Вт. Это явно возможное при использовании номиналов включения MOSFET от =AK=.

@=AK= - Чтобы исключить выход из строя IRLZ44 при глюках ESP8266 и прочих экспах, с учетом вашей схемы включения с рекомендуемыми номиналами надо ставить на него радиатор на от 12 Вт?
Или есть другие решения, о которых тут вам твердят многие?

@=AK= - и обтеките ещё одно опровержение в вашей несознательности и не применимости ваших рекомендаций:

Добрый день.
Есть у меня сборка на ардуине, для автоматического и плавного включения света в коридоре.

Что означает ШИМ.

Кароче - летайте подальше на своих крылышках в сугубо своей больнице и не трогайте обычных "начинающих", а то включу "базу торпедных катеров" и ваши крылышки не спасут и миф о каком-то инженере =AK= будет развеян навечно в его-же больнице. Но вы не достигли даже внимания в данном вопросе и на 1%, чтобы переходить на другой уровень. А пока наблюдаем только сплошной веселый троллинг от =AK= на "начинающих", но ничего не могущий противопоставить уже знающим людям Т.е. работаете тут в качестве клоуна, что на руку для развлечения всем.

 

[=AK=]

Где топикастер указал ток его ленты? У меня вот две ленты по 5 метров в параллель на кужне и любая вики гласит, что вы ошиблись почти на порядок (2x4A)

Любая вики гласит, что типичная белая светодиодная лента 12В потребляет примерно 0.4А на метр. И что коридор - не кухня, в коридоре яркий свет не нужен, поэтому 5м ленты для типичного коридора за глаза хватает. А потому названные 2А являются корректной оценкой.

Что же касается того, что вы рассказываете про свою кухню, то неоднократно было доказано, что врете непрерывно, поэтому верить нельзя ни в одном слове. Единственно чему можно более-менее поверить из сказанного, так только тому, что у вас все ломается и выгорает - по причине вашего технического невежества. Вы же не только на форуме врете непрерывно, вы и сами себе тоже врете, когда что-то делаете по дому. Вот и результат.

 

[pvvx]

Любая вики гласит, что типичная белая светодиодная лента 12В потребляет примерно 0.4А на метр. И что коридор - не кухня, в коридоре яркий свет не нужен, поэтому 5м ленты для типичного коридора за глаза хватает. А потому названные 2А являются корректной оценкой.

Если вы живете в темноте, то это ваша пещера.
2 ленты по 5 метра пущены по нижней части навесных шкафов в кухне и освещают столешницы, мойку и т.д. И то на всю длину их не хватило. Имеют автоматику включения (отслеживания нахождения рядом) с ужасной схемотехникой, подобной от =AK=.

Что же касается того, что вы рассказываете про свою кухню, то неоднократно было доказано, что врете непрерывно, поэтому верить нельзя ни в одном слове. Единственно чему можно более-менее поверить из сказанного, так только тому, что у вас все ломается и выгорает - по причине вашего технического невежества. Вы же не только на форуме врете непрерывно, вы и сами себе тоже врете, когда что-то делаете по дому. Вот и результат.

Устройство, которое вылетает, сделано в Китае таким как вы и это факт. Видимо аналогичные идиоты, считающие себя инженерами, расплодились и там.
Вот вам от топикастера - аналогичная беда:

Хмм, взял с полки еще один IRLZ44N, подал на затвор 3,3В от латра, сопротивление DS стало около 0,4Ом.
Вроде как 30А можно через такое протащить при 12в. Так же себя ведет IRLZ34N, который я тоже взял для проверки.
Похоже, что мосфет в коридоре выпендривается.
Попробую собрать на макетке всю конструкцию, спасибо.

@=AK= - По вашему дебилизму видно, что вам даже сложно прочитать статью производителя (не то что тему, в которой срете) про более современные MOSFET, а не те, которые вы рекомендуете из времен, когда ваш приятель ходил в радио-кружок и вы лапали ламповый осциллограф, чтобы убедиться, что резистор на выход логики не ставиться для обеспечения низкого обратного сопротивления выхода (что рекомендовано производителем):
http://www.irf.ru/pdf/articles/AN-971.pdf (Там-же вам указано, что Gate сделан как обычный конденсатор, а если посмотрите расширенные графики, то получите что Сgs очень слабо зависит от Ugs.)
При вашей дурной схеме с 10 кОм, переходные процессы усугубляются, кроме того на таких транзисторах, управляемых от 5В их влияние больше, т.к. масштабируются более чем в 2 раза относительно простых с 10 Вольтовым переключением.
Т.к. дополнительный элемент имеет усиление и частенько входной триггер Шмитта, то по этому добавка простого MOS Driver-а (типа DS0026 или другого CМОS элемента) решает все проблемы выводов ESP. А 5-ти вольтовое питание, как и 12В на ленту, в схеме уже есть и на 12В можно поставить и какой древний драйвер и транзистор. Останется одна беда – не подавать на вывод ШИМ более десятки кГц и поставить фильтр на светодиоды, дабы они проработали в два раза больше, если используется управление ШИМ-ом (не любят они импульсное питание).

 

[=AK=]

Если вы живете в темноте, то это ваша пещера.

Я ему про белые светодиоды, он в ответ табличку с RGB лентами. Ну разве не идиот?

Только дешевый пижон может для освещения поставить неэффективные RGB ленты вместо белых. Цветомузыку он на кухне устраивает. Садится голой задницей на раскаленную плиту, после чего прыгает по кухне под музыку в переливах RGB лент. А потом плачется о перерасходе тока и недостаточной яркости света. И еще имеет наглость приводить свою идиотскую безграмотную инсталляцию в качестве "типовой".

Устройство, которое вылетает, сделано в Китае

«Не гонялся бы ты, поп, за дешевизной» (с) На приличное освещение не заработали, покупаете всякий грошовый ламерский хлам для пижонов на Али, а потом ноете на форумах, что все у вас ломается и выгорает. И все кругом виноваты, что у вас мозгов нет, руки кривые и зарплата ниже плинтуса. Ну а кому нужен записной лжец на работе? Вот и перебиваетесь с хлеба на воду, вследствие своего неизбывного вранья и глупости.

статью производителя (не то что тему, в которой срете) про более современные MOSFET, а не те, которые вы рекомендуете из времен, когда ваш приятель ходил в радио-кружок и вы лапали ламповый осциллограф, чтобы убедиться, что резистор на выход логики не ставиться для обеспечения низкого обратного сопротивления выхода (что рекомендовано производителем):
http://www.irf.ru/pdf/articles/AN-971.pdf

Хе-хе, ну вот и опять наврали с три короба.

Для начала:
- я в этой теме никаких MOSFET вообще не рекомендовал, а упоминал только IRLZ44N, поскольку именно про них говорил топикстартер
- в аппноте, на которую вы дали ссылку, IRLZ44N имеется в таблице
Поэтому над вашим высером "про более современные MOSFET" я с удовольствием поржал.

Что же касается "резистор на выход логики не ставиться", то:
- по ходу темы вы сами много раз пугали начинающих, что якобы затвор MOSFET ни в коем случае нельзя подключать к выходу микросхемы напрямую, иначе всему кирдык, поскольку "это обычный конденсатор"; впрочем, логики рассуждений от вас никто не ждет - она вам недоступна
- аппнота IRF, конечно же, не уделяет особого внимания низкоскоростным применениям, подразумевая, очевидно, что у грамотных людей хватит мозгов сообразить, что броски зарядного-разрядного тока легко можно уменьшить простым резистором в затворе

бла-бла-бла-бла...

В отличие от ваших невежественных и голословных высеров, я свои утверждения подтвердил оценочными расчетами. Хе-хе, а вы вообще считать-то умеете?

Все жду от вас обещанных "10В на открытом диоде". Ламповые диоды были, дрейфовые диоды были. Может, обратите взор на высоковольтные сборки? Там тоже большой простор для ваших фантазий.

 

[=AK=]

И объясните-ка, с какого переляку вы в теме про MOSFET вдруг перескочили на дрейфовые диоды. Вы способны представить логическую связь такого перехода?

Про процесс инжекции заряда вам уже было указано. Дрейфовые диоды тут не при чем, но они имет популярно-разжованное описание процессов, происходящих в полупроводнике, к котрым вы приводили график, который был полностью некорректен по теме. На то вам и дал описание в сторону изложения происходящих в притянутом вами графике процессов

Прелестно, просто прелестно. Клиент совсем ничего не знает про MOSFET - он думает, что там происходят такие же процессы, как в диоде. Он полагает, что в полевиках происходит инжекция заряда.

G и S не строят из полупроводника.

Да-да-да, затвор и сток делают из дерева. Из дуба. Есть два сорта дуба, которые растут в Калифорнии, один называется "поликристаллический кремний, второй - "монокристаллический кремний", вот из них и делают. А третий сорт дуба называется pvvx, он годится для изготовления стока.

Уж не знаю, смеяться или плакать. Это даже на уровень радиолюбителя не тянет.

 

[=AK=]

Наконец-то я понял, о чем говорил pvvx. И "инжекция зарядов", и "10В на открытом диоде"... Картинка сложилась! Он думает, что MOSFET - это однопереходный транзистор!

Я был неправ, назвав pvvx дубом. Нет, он не дуб, он дупло в дубе.

 

[pvvx]

Я ему про белые светодиоды, он в ответ табличку с RGB лентами. Ну разве не идиот?

В таблице даны номера типов и указан ток.
=AK= уже подтвердил полное незнание как работает простой диод, пытаясь склонять "20 В на полностью открытом простом выпрямительном диоде" напевая песни типа "открывающегося" "переоткрытого" (ну типа открыт на 100500% ), "открытого вчера"....
Теперь к простым светодиодным лентам с белым свечением пристал. Походу только стационарное лечение ему поможет...

 

[pvvx]

Наконец-то я понял, о чем говорил pvvx. И "инжекция зарядов", и "10В на открытом диоде"... Картинка сложилась! Он думает, что MOSFET - это однопереходный транзистор!

Я был неправ, назвав pvvx дубом. Нет, он не дуб, он дупло в дубе.

Ну наконец-то =AK= начал доходить до восприятия двух из трех типов емкостей у полупроводника...
Но, как и писал - не могу тут вам помочь разобраться с остальным - только стационарное лечение.
Если не воспринимаете это, то так и будете всю оставшуюся жизнь шариться за мной и другими для получения собственного правильного понимания про Cgs? Данная задача теперь выжгет вас, если не обратитесь в стационар.

 

[=AK=]

Но молча обтекать pvvx не способен... "Инжекция заряда" в MOSFET - это шедевр невежества. Санитары ему регулярно делают иньекции галипердола, вот у него все мысли и крутятся вокруг инжекций.

И про "график, который был полностью некорректен по теме" - это он про график зависимости напряжения на затворе от заряда затвора, который имеется в каждом даташите на MOSFET. Он не знает, как его использовать, а потому называет его "некорректным". А "корректные по теме" у него дрейфовые диоды, "10В на открытом диоде" и прочий горячечный бред невежественного идиота.

"Учите матчасть" (с). Производители MOSFET приводят только "типичное" значение емкости затвора, потому что оно нелинейно и не годится для мало-мальски точных расчетов. С его помощью можно сделать грубую прикидку, не более. Для более точного расчета процесса переключения используется упомянутый график. Практически весь фронт на стоке формируется на горизонтальной "полке" этого графика.

Вот, например, транзистор IRF3708, более уместный для применения с ESP8266, поскольку его пороговое напряжение находится в диапазоне от 0.6В до 2В.


Чтобы более-менее корректно посчитать, например, время включения, надо найти, за какое время заряд на затворе увеличится с 7 нКл до 13 нКл. Если для простоты принять, что полка горизонтальна на уровне 2.2 В, то при 3.3В питании ESP8266 и 1к в затворе ток заряда составит 1.1 мА, а искомые 6 нКл в затвор попадут за примерно 5.5 мкс. Такова будет длительность включения, а длительность выключения, соответственно, будет в два раза меньше.

 

[pvvx]

Чтобы более-менее корректно посчитать, например, время включения,

Но у вас случился понос в разговоре о емкости Cgs и для расчета вами был представлен данный график, что не корректно. А сейчас опять гоните ложь. Обтекайте молча в стационаре...
Изучите внимательнее PDF хоть на тот транзистор, для последующих вычислений Cgs:

Изучайте дальше и лучше, а то ваш приведенный график как раз и показывает, что по вашей схеме включения с рекомендованными номиналами (10 кОм) и выйдет “качер”, вместо коммутатора для ШИМ управления светодиодной лентой с GPIO. Прочтите описанное мелким шрифтом и сноски по приводимому вами графику и прозреете, что то он дается для типовой схемы включения с Rg 10..30 Ом (см. уточнения на конкретный транзистор) и вы к разрывной функции воздействия прикладываете формулы линейных (непрерывных) функций
Так што вляпались по полной. Теперь я ваши сообщения читаю на диване, чтобы не оказаться "подсталом"

 

[=AK=]

по вашей схеме включения с рекомендованными номиналами (10 кОм) и выйдет “качер”, вместо коммутатора для ШИМ управления светодиодной лентой.

Лживая тварь. Я рекомендовал от 100 Ом до 1 кОм, а потом обронил, что даже и при 10 кОм ничего плохого не будет. И даже подтвердил это прикидочным расчетом. Не дошло, тупорылый? Хорошо, вот более точный расчет для IRF3708 c 10 кОм в затворе - хотя для ШИМ это не оптимально. Пусть лента на ток 4А, не играет роли.

Время включения - 55 мкс, время выключения - 27.5 мкс, мощность в пике 12 Вт, средняя мощность 6 Вт. Частота переключения 100 Гц, мощность рассеивания (55+27.5)*6/10000 = 49.5 мВт.

При такой мощности для корпуса TO-220 радиатор не нужен даже если лента непрерывно диммируется, тогда как при плавном включении и выключении (несколько секунд диммирования) разогрев корпуса вообще трудно будет обнаружить. При 1 кОм в затворе эта мощность уменьшится в 10 раз, просто говорить не о чем. Как бы ни исходили визгом, воплями и слюной всякие невежественные идиоты.

 

[pvvx]

Лживая тварь. Я рекомендовал от 100 Ом до 1 кОм, а потом обронил, что даже и при 10 кОм ничего плохого не будет. И даже подтвердил это прикидочным расчетом. Не дошло, тупорылый?

А я рекомендовал изучить и построить вам график Cgs собственноручно и указал на какие грабли вы наступите, но вы же вляпались по полной, расписав всем своё незнание как работает практически любой полупроводник...
И нафига мне лгать, если вы сами всё это опишите как миленький, утвердив мои сокращения. Но пока у вас ещё мало грамотности в данных вопросах... Графика Cgs от вас до сих пор нет, а приведенный вами прошлый = каляка идиота.

 

[=AK=]

Вы бредите, просто от невежества и своего склочного характера.

 

[pvvx]

Вы бредите, просто от невежества и своего склочного характера.

Зачем мне бредить? Вы сами всё изложите и покажите свою безграмотность. Для того и были подобраны словосочетания типа "20В на открытом диоде", т.к. это факт и не склоняется в разговоре о энергии приведены Ватты... и т.д. Но сработала банальная вещь - "на открытом диоде", которую вы пытались оспорить и не смогли по своей заученности примитивных моделей без их осознания.
Горе "паковщик" =AK= - придиритесь ещё к какому слово-сочетанию выдранному из контекста, т.к. на большее у вас нет мозгу

 

[=AK=]

Зачем мне бредить?

Вы бредите, потому что публично продемонстрировали свое дремучее невежество. А теперь пытаетесь этот факт заболтать, нагромождая горы абсолютно безграмотной чепухи и т.п. По принципу Геббельса - чем чудовищнее ложь, тем быстрее в нее поверят.

PS: Далее в этой теме препираться в таком стиле с этой лживой склочной тварью я не собираюсь. То, что стыда у него нет - это давно ясно. Ну а расчетов по теме пустобрех pvvx представить не может, так что и спорить не с чем.

 

[pvvx]

Вы бредите, потому что публично продемонстрировали свое невежество. А теперь пытаетесь этот факт заболтать, нагромождая горы абсолютно безграмотной чепухи и т.п. По принципу Геббельса - чем чудовищнее ложь, тем быстрее в нее поверят.

Неа - у вас ошибка. Всё было заранее спланировано, чтобы вы показали свою безграмотность, суясь в чужие разговоры и темы со своим поражением мозга: "вся в белом".
И я не литератор и на сообщения в форуме нанимать корректоров текста не собираюсь. По тому на мелкие ошибки не обращаю внимания, но общий смысл корректен. Это ваша прерогатива ворваться куда и докеряться до аппонентов, что не так T9 поставил у них в сообщении букву, да в тематике, совершенно побочной - на этом везде построены ваши "вся в белом".
Нормальный человек спрашивает о чем идет речь, а не хватает непонятную ему фразу, и не выдает реакцию как взбешенный бык на красную тряпку, по причине незнаний глубоко некоторых вопросов, что вы и проявляете, выступая в роли клоуна и дауна А т.к. это у вас зашло слишком глубоко, то пришлось отказаться от дальнейшего - далее это будет выглядеть как издевательство над больным, что не есть хорошо... Лечитесь - диагноз поставлен - в стационар и без собственноручно построенного и сверенного с замерами графика зависимостей Cgs (не для форума, а для себя) не возвращайтесь

 

[=AK=]

Стоит заметить, что сам факт зацикливания pvvx на величине емкости затвора свидетельствует только о том, что этот ламер вообще никогда с MOSFET дела не имел.

Те, кто следил за моими расчетами, наверное заметили, что я принял, что полка на графике горизонтальна на уровне 2.2В. То есть, принял, что на этой полке емкость затвора вообще бесконечна. И это не привело к сколько-либо значимой погрешности расчета, зато несколько его упростило.

Это наглядно демонстрирует причину, по которой производители особо не заморачиваются с точными измерениями емкости MOSFET, зато дают график зависимости напряжения на затворе от заряда. Ибо точное значение емкости затвора хочется иметь только невежественным ламерам вроде pvvx, ни бельмеса не понимающим в электронике.